参数资料
型号: AGLE600V2-FGG256
厂商: Microsemi SoC
文件页数: 117/166页
文件大小: 0K
描述: IC FPGA 1KB FLASH 600K 256-FBGA
标准包装: 90
系列: IGLOOe
逻辑元件/单元数: 13824
RAM 位总计: 110592
输入/输出数: 165
门数: 600000
电源电压: 1.14 V ~ 1.575 V
安装类型: 表面贴装
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 256-LBGA
供应商设备封装: 256-FPBGA(17x17)
IGLOOe DC and Switching Characteristics
2-40
Revision 13
1.2 V DC Core Voltage
Table 2-50 2.5 V LVCMOS Low Slew – Applies to 1.2 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V, Worst-Case VCCI = 2.3 V
Drive Strength
Speed
Grade tDOUT
tDP
tDIN tPY tPYS tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS Units
4 mA
Std.
1.55
6.25 0.26 1.55 1.77 1.10
6.36
5.34 2.81 2.63 12.14 11.13
ns
8 mA
Std.
1.55
5.18 0.26 1.55 1.77 1.10
5.26
4.61 3.13 3.32 11.05 10.39
ns
12 mA
Std.
1.55
4.42 0.26 1.55 1.77 1.10
4.49
4.08 3.36 3.76 10.28
9.86
ns
16 mA
Std.
1.55
4.19 0.26 1.55 1.77 1.10
4.25
3.96 3.40 3.89 10.04
9.75
ns
24 mA
Std.
1.55
4.09 0.26 1.55 1.76 1.10
4.15
3.97 3.47 4.32 9.94
9.76
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-7 on page 2-6 for derating values.
Table 2-51 2.5 V LVCMOS High Slew – Applies to 1.2 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V, Worst-Case VCCI = 2.3 V
Drive Strength
Speed
Grade tDOUT tDP tDIN tPY tPYS tEOUT tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS Units
4 mA
Std.
1.55
3.38 0.26 1.55 1.77
1.10
3.42 3.11 2.81 2.72
9.21
8.89
ns
8 mA
Std.
1.55
2.83 0.26 1.55 1.77
1.10
2.87 2.51 3.13 3.42
8.66
8.30
ns
12 mA
Std.
1.55
2.51 0.26 1.55 1.77
1.10
2.54 2.22 3.36 3.85
8.33
8.00
ns
16 mA
Std.
1.55
2.45 0.26 1.55 1.77
1.10
2.48 2.16 3.40 3.97
8.27
7.95
ns
24 mA
Std.
1.55
2.46 0.26 1.55 1.77
1.10
2.49 2.09 3.47 4.44
8.28
7.88
ns
Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-7 on page 2-6 for derating values.
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