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参数资料
型号： AGR09130EF
厂商： TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分类： 功率晶体管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
文件页数： 10/10页
文件大小： 437K
代理商： AGR09130EF
AGR09130E
130 W, 921 MHz—960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Package Di mensions
All dimensions are in inches. Tolerances are ±0.005 in. unless specified.
AGR09130EU
AGR09130EF
PINS:
1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
PINS:
1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
AGERE
M-AGR21125U
YYWWUR
XXXXZZ
Z
PEAK DEVICES
AGR09130EU
1
3
2
AGERE
M-AGR21125F
YYWWUR
ZZZZZZZ
1
3
2
AGR09130EF
PEAK DEVICES
XXXX
Marking Notes:
Line 1: Brand & Manufacturer
Line 2: Part Number
Line 3: 4 digit Trace Code first two digits are letters followed by two digit number
相关PDF资料
PDF描述
AGR09130EU UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR09180EF 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR09180EF 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR09180EU 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR09180EU 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
AGR09130EU 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:130 W, 921 MHz-960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR09180EF 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
AGR1000 功能描述:可复位保险丝 10/9.6A 16V 100A RoHS:否 制造商:Bourns 电流额定值: 电阻:7.5 Ohms 最大直流电压: 保持电流:0.1 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 跳闸电流:0.6 A 引线间隔: 系列:MF-PSHT 工作温度范围:- 40 C to + 125 C
AGR1100 功能描述:可复位保险丝 11/10.5A 16V 100A RoHS:否 制造商:Bourns 电流额定值: 电阻:7.5 Ohms 最大直流电压: 保持电流:0.1 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 跳闸电流:0.6 A 引线间隔: 系列:MF-PSHT 工作温度范围:- 40 C to + 125 C
AGR1100-0.16 功能描述:可复位保险丝 AGR1100-0.16 RoHS:否 制造商:Bourns 电流额定值: 电阻:7.5 Ohms 最大直流电压: 保持电流:0.1 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 跳闸电流:0.6 A 引线间隔: 系列:MF-PSHT 工作温度范围:- 40 C to + 125 C
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