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参数资料
| 型号： | AGR09130EF |
| 厂商： | TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 437K |
| 代理商： | AGR09130EF |
130 W, 921 MHz—960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR09130E
Typical Performance Characteristics (continued)
F1 = 940.0 MHz, F2 = 940.1 MHz, VDD = 26 V, IDQ = 1.0 A, TF = 30 °C.
Figure 10. 2-Tone IMD vs. Po
-70.00
-60.00
-50.00
-40.00
-30.00
-20.00
-10.00
0.00
50.00
100.00
150.00
200.00
POWER OUT (POUT) WPEPZ
IM
D
dB
cZ
IM3+/-
IM5+/-
IM7+/-
D
ra
ft
C
o
p
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AGR09130EU | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AGR09130EU | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:130 W, 921 MHz-960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR09180EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR1000 | 功能描述:可复位保险丝 10/9.6A 16V 100A RoHS:否 制造商:Bourns 电流额定值: 电阻:7.5 Ohms 最大直流电压: 保持电流:0.1 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 跳闸电流:0.6 A 引线间隔: 系列:MF-PSHT 工作温度范围:- 40 C to + 125 C |
| AGR1100 | 功能描述:可复位保险丝 11/10.5A 16V 100A RoHS:否 制造商:Bourns 电流额定值: 电阻:7.5 Ohms 最大直流电压: 保持电流:0.1 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 跳闸电流:0.6 A 引线间隔: 系列:MF-PSHT 工作温度范围:- 40 C to + 125 C |
| AGR1100-0.16 | 功能描述:可复位保险丝 AGR1100-0.16 RoHS:否 制造商:Bourns 电流额定值: 电阻:7.5 Ohms 最大直流电压: 保持电流:0.1 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 跳闸电流:0.6 A 引线间隔: 系列:MF-PSHT 工作温度范围:- 40 C to + 125 C |
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