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参数资料
| 型号： | AGR09130EF |
| 厂商： | TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 437K |
| 代理商： | AGR09130EF |
130 W, 921 MHz—960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR09130E
Typical Performance Characteristics
Figure 3. Series Equivalent Input and Output Impedances
MHz (f)
ZS Ω
(
Complex Source Impedance)
ZL Ω
(
Complex Optimum Load Impedance)
920 (f1)
0.55 –
6
9
.
0j
+
9
.
0
6
0
.
1j
940
0.55 –
9
0
.
1j
+
9
8
.
0
7
.
0j
960 (f3)
0.58 –
5
3
.
1j
+
4
8
.
0
6
.
0j
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
70
80
90
100
110
120
130
140
150
160
-160
170
-170
180
±
90
-90
85
-85
80
75
70
65
60
55
50
45
40
35
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.1
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.35
0.36
0.37
0.38
0.39
0.4
0.41
0.42
0.43
0.44
0.45
0.46
0.47
7
0.48
0.49
0.0
>
W
A
V
E
L
E
N
G
T
H
S
T
O
W
A
R
D
G
E
N
E
R
A
T
O
R
>
W
A
V
E
L
E
N
G
T
H
S
T
O
W
A
R
D
L
O
A
D
<
IN
D
U
C
T
IV
E
R
EA
C
TA
N
C
E
C
O
M
PO
N
EN
T
(+
jX
/ Z
o)
, O
R
CA
PA
CI
TIV
E S
US
CE
PT
AN
CE
(+jB
/ Yo
)
TA
N
C
E
(-
jB
/
Y
o)
RESISTANCE COMPONENT (R/Zo), OR CONDUCTANCE COMPONENT (G/Yo)
ZL
f1
f3
ZS
f1
f3
Z0 = 5 Ω
DUT
ZS
ZL
INPUT MATCH
OUTPUT MATCH
DRAIN (1)
SOURCE (3)
GATE (2)
Draf
tCopy
Only
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AGR09130EU | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR09180EF | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR09180EF | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR09180EU | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR09180EU | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AGR09130EU | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:130 W, 921 MHz-960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
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