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参数资料
| 型号： | AO4407A |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH -30V -12A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | 8-SOIC |
| 其它图纸： | AO4xxx Series 8-SOIC Top AO4xxx Series 8-SOIC End AO4xxx Series 8-SOIC Side |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 12A，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 39nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2600pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1668 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 785-1022-6 |
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
80
80
60
40
-10V
-6V
-5V
-4.5V
60
40
V DS = -5V
20
0
-4V
V GS = -3.5V
20
0
125 ° C
25 ° C
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
20
-V DS (Volts)
Figure 1: On-Region Characteristics
1.8
-V GS (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
V GS =-20V
15
10
5
V GS =-6V
V GS =-10V
V GS =-20V
1.6
1.4
1.2
I D =-12A
V GS =-6V
I D =-10A
V GS =-10V
I D =-12A
1.0
0
0
4
8
I 16 20 F
12 =-6.5A, dI/dt=100A/ μ s
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
30
25
-I D (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
I D =-12A
1E+01
1E+00
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
1E-01
125 ° C
20
125 °
1E-02
15
10
25 °
1E-03
1E-04
1E-05
25 ° C
5
3
4
5
6
7
8
9
10
1E-06
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V GS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
Rev.11.0 June 2013
-V SD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
www.aosmd.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4438 | MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| AO4407AL | 制造商:AOS 功能描述:MOSFET |
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