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参数资料
| 型号： | AO4407A |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH -30V -12A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | 8-SOIC |
| 其它图纸： | AO4xxx Series 8-SOIC Top AO4xxx Series 8-SOIC End AO4xxx Series 8-SOIC Side |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 12A，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 39nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2600pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1668 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 785-1022-6 |
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
10
3000
8
V DS =-15V
I D =-12A
2500
C iss
2000
6
1500
4
1000
C oss
2
0
500
0
C rss
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
100
Q g (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
10 μ s
10000
-V DS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
T J(Max) =150 ° C
10
100 μ s
1000
T A =25 ° C
1ms
1
R DS(ON) limited
10ms
100
100mss
0.1
T J(Max) =150 ° C
10s
10
0.01
T A =25 ° C
DC
1
0.1
1
10
100
0.00001
0.001
0.1
10
1000
10
-V DS (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-
to-Ambient (Note E)
1
D=T on /T
T J,PK =T A +P DM .Z θ JA .R θ JA
R θ JA =75 ° C/W
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
0.1
P D
0.01
Single Pulse
T on
T
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1 10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance(Note E)
Rev.11.0 June 2013
www.aosmd.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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