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参数资料
| 型号： | AO4709L |
| 厂商： | ALPHA |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode |
| 中文描述： | P通道增强模式场的肖特基二极管晶体管 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 201K |
| 代理商： | AO4709L |
Symbol
V
DS
V
GS
Units
V
V
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
DM
V
KA
V
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
FM
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
J
, T
STG
°C
Symbol
Units
R
θ
JL
R
θ
JL
Steady-State
30
40
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
Power Dissipation
30
4.4
3.2
30
3
2
Schottky reverse voltage
Continuous Forward Current
A
Pulsed Forward Current
B
I
F
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
MOSFET
-30
±20
-8
-6.6
-40
Schottky
Continuous Drain Current
A
Pulsed Drain Current
B
I
D
A
A
P
D
3
2
W
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 150
Parameter: Thermal Characteristics MOSFET
Maximum Junction-to-Ambient
A
Typ
24
Max
-55 to 150
°C/W
54
21
Thermal Characteristics Schottky
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
t
≤
10s
R
θ
JA
75
t
≤
10s
R
θ
JA
36
40
°C/W
Steady-State
67
25
75
30
Steady-State
AO4709
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
with Schottky Diode
Features
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -8A (V
GS
=
-
10V)
R
DS(ON)
< 33m
(V
GS
=
-
10V)
R
DS(ON)
< 56m
(V
GS
=
-
4.5V)
SCHOTTKY
V
DS
(V) = 30V,IF = 3A, VF<0.5V@1A
General Description
The AO4709 uses advanced trench technology to provide
excellent R
DS(ON)
and low gate charge. A Schottky diode is
provided to facilitate the implementation of non-
synchronous DC-DC converters.
Standard Product
AO4709 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259
specifications). AO4709L is a Green Product ordering
option. AO4709 and AO4709L are electrically identical.
G
D
S
A
K
G
S
S
A
D/K
D/K
D/K
D/K
1
2
3
4
8
7
6
5
SOIC-8
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述 |
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