- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录375333 > AO4709L (ALPHA) P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode PDF资料下载
参数资料
| 型号： | AO4709L |
| 厂商： | ALPHA |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode |
| 中文描述： | P通道增强模式场的肖特基二极管晶体管 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 201K |
| 代理商： | AO4709L |
AO4709
P-CHANNEL: TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
-V
DS
(Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
-
D
V
GS
=-3V
-6V
-3.5V
-4V
-10V
0
5
10
15
20
25
30
0
0.5
1
1.5
2
-V
GS
(Volts)
2.5
3
3.5
4
4.5
5
Figure 2: Transfer Characteristics
-
D
(
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
0
5
10
15
20
25
-I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
R
D
)
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
-
S
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
25°C
125°C
0.80
1.00
1.20
1.40
1.60
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
N
V
GS
=-10V
V
GS
=-4.5V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
3
4
5
6
7
8
9
10
-V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
)
25°C
125°C
V
DS
=-5V
V
GS
=-4.5V
V
GS
=-10V
I
D
=-7.5A
25°C
125°C
I
D
=-7.5A
-4.5V
-5V
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4710 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4712 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4714 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4720 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4800A | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AO4710 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SRFET™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AO4710_10 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET |
| AO4710L | 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述: |
| AO4710L_101 | 功能描述:MOSFET P-CH 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12.7A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:43nC @ 10V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2376pF @ 15V FET 功能:肖特基二极管（体） 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11.8 毫欧 @ 12.7A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-SOIC 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 标准包装:3,000 |
| AO4712 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.2A 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SRFET™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。