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参数资料
| 型号： | AO4710 |
| 厂商： | ALPHA |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | N沟道增强型场效应管 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 543K |
| 代理商： | AO4710 |
AO4710
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
DYNAMIC PARAMETERS
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Q
g
(nC)
V
G
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
C
iss
C
oss
C
rss
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
0.1
1
10
100
V
DS
(Volts)
I
D
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
10
μ
s
10ms
1ms
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
100
μ
V
DS
=15V
I
D
=12.7A
0
0.0001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Pulse Width (s)
Figure10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note E)
P
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note E)
Z
θ
J
T
D=T
on
/T
T
J,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θ
JA
.R
θ
JA
R
θ
JA
=40°C/W
T
on
T
P
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
Single Pulse
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| AO4714 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4720 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4800A | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| AO4710_10 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET |
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| AO4710L_101 | 功能描述:MOSFET P-CH 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12.7A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:43nC @ 10V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2376pF @ 15V FET 功能:肖特基二极管（体） 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11.8 毫欧 @ 12.7A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-SOIC 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 标准包装:3,000 |
| AO4712 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.2A 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SRFET™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AO4712_12 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET |
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