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参数资料
| 型号： | AON7423 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF P CH 20V 50A DFN3.3X3.3EP |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 20A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5626pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 6.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-EP（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 785-1310-6 |
AON7423
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
100
80
60
40
-2.0V
-2.5V
-4.5V
-1.5V
100
80
60
40
V DS =-5V
125 ° C
20
0
V GS =-1.0V
20
0
25 ° C
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
10
-V DS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)
1.8
-V GS (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)
8
V GS =-1.8V
V GS =-1.5V
1.6
V GS =-2.5V
V GS =-4.5V
I D =-20A
I D =-20A
6
4
1.4
1.2
17
5
2
2
V GS =-2.5V
V GS =-4.5V
1
V GS =-1.8V
10
V GS =-1.5V
I D =-20A
I D =-20A
0
0.8
15
0
5 10 15 20 25 30
-I D (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage (Note E)
0
1.0E+01
25 50 75 100 125 150 175
Temperature (°C) 0
Figure 4: On-Resistance vs. Junction 18 Temperature
(Note E)
I D =-20A
12
1.0E+00
40
9
125 ° C
1.0E-01
1.0E-02
125 ° C
6
3
25 ° C
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
25 ° C
0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0
2
4 6 8 10
-V GS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
(Note E)
-V SD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note E)
Rev 0: Nov. 2011
www.aosmd.com
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PDF描述 |
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