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参数资料
| 型号： | AON7423 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF P CH 20V 50A DFN3.3X3.3EP |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 20A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5626pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 6.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-EP（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 785-1310-6 |
AON7423
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
5
7000
V DS =-10V
I D =-20A
6000
C iss
4
5000
3
2
4000
3000
1
2000
1000
C oss
0
0
C rss
0
20
40 60
80
0
5 10 15
20
Q g (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
-V DS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
1000.0
200
T J(Max) =150 ° C
100.0
10.0
1.0
0.1
R DS(ON)
limited
T J(Max) =150 ° C
T C =25 ° C
10 μ s
DC
10 μ s
100 μ s
1ms
10ms
160
120
80
40
T C =25 ° C
17
5
2
10
0.0
0
18
10
1
0.1
0.01 0.1 1 10
V DS (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note F)
D=T on /T
T J,PK =T C +P DM .Z θ JC .R θ JC
R θ JC =1.5 ° C/W
100
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10
0
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Case (Note F)
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
40
P D
0.01
Single Pulse
T on
T
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
Rev 0: Nov. 2011
www.aosmd.com
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