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参数资料
| 型号： | AS5030 DB |
| 厂商： | ams |
| 文件页数： | 6/44页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD DEMO AS5030 |
| 标准包装： | 1 |
| 传感器类型： | 磁性，旋转位置 |
| 传感范围： | 360° |
| 接口： | USB |
| 电源电压： | 5V USB 或 7.5V |
| 嵌入式： | 是，MCU，8 位 |
| 已供物品： | 板 |
| 已用 IC / 零件： | AS5030 |
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AS5030
Datasheet - E l e c t r i c a l C h a r a c t e r i s t i c s
6 Electrical Characteristics
T AMB = -40°C to +125°C, VDD5V = 4.5V ~ 5.5V, all voltages referenced to VSS, unless otherwise noted.
6.1 Operating Conditions
Symbol
V DD
Parameter
Positive supply voltage
Conditions
Min
4.5
Typ
Max
5.5
Units
V
I DD
I off
T AMB
Operating current
Power-down current
Ambient temperature
No load on outputs.
Minimum AGC (strong magnetic field)
No load on outputs.
Maximum AGC (weak or no magnetic field)
Low Power Mode
Ultra-low Power Mode
-40°F ~ +257°F
-40
14
18
1400
30
18
22
2000
120
125
mA
μA
°C
6.2 System Parameters
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
N
Resolution
Startup from zero; AGC not regulated
Startup from zero until regulated AGC
8
1.406
1000
3300
bit
°
T PwrUp
Power up time
Startup from Power Down Mode
Startup from Low Power Mode
Setting 1: no hysteresis, no reset
500
46
μ s
Setting 2: hysteresis and reset
1500
t da
Propagation delay
Analog signal path;
over full temperature range
15
17
μs
t dd
t delay
T
Tracking rate
Signal processing delay
Analog filter time constant
step rate of tracking ADC;
1 step = 1.406°
Total signal processing delay,
analog + digital (t da + t dd )
Internal low-pass filter
0.85
4.1
1.15
16.15
6.6
1.45
18.45
12.5
μs
μs
μs
-2
2
INL cm
TN
POR r
POR f
Hyst
Accuracy
Transition noise
Power-on-reset levels
within horizontal displacement radius
(see Magnet Specifications on page 7)
rms (1 sigma)
VDD rising
VDD falling
Hysteresis | POR r - POR f |
-3
3.5
3.0
500
3
0.235
4.5
4.5
°
°
V
V
mV
www.ams.com/AS5030
Revision 2.4
6 - 44
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PDF描述 |
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