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参数资料
| 型号： | AS5030 DB |
| 厂商： | ams |
| 文件页数： | 7/44页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD DEMO AS5030 |
| 标准包装： | 1 |
| 传感器类型： | 磁性，旋转位置 |
| 传感范围： | 360° |
| 接口： | USB |
| 电源电压： | 5V USB 或 7.5V |
| 嵌入式： | 是，MCU，8 位 |
| 已供物品： | 板 |
| 已用 IC / 零件： | AS5030 |
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AS5030
Datasheet - E l e c t r i c a l C h a r a c t e r i s t i c s
6.3 Magnet Specifications
Recommended magnet: NdFeB 35H BR = 12.000 Gauss, ?6mm x 2.5mm
Symbol
MD
Parameter
Magnet diameter
Conditions
Diametrically magnetized
Min
Typ
6
Max
Units
mm
MT
Magnet thickness
2.5
mm
B i
v i
B max
B min
Magnetic input range
Magnet rotation speed
Magnetic field high detection
Magnetic field low detection
Hall array radius
At chip surface, on a radius of 1mm
To maintain locked state
T AMB =25°C, AGC @ lower limit,
1 sigma = 2.5mT
T AMB =25°C, AGC @ upper limit,
1 sigma = 1.5mT
Over x/y chip center
20
52
23
1
80
30.000
mT
rpm
mT
mm
tk M
Vertical distance of magnet
Horizontal magnet displacement radius
Recommended magnet material and
temperature drift
Recommended distance; operation outside
this range is possible, accuracy may be
reduced
From diagonal package center
From diagonal IC center
NdFeB Material
SmCo Material
0.5
1
-0.12
-0.035
1.8
0.25
0.5
mm
mm
%/K
6.4 Magnetic Field Alarm Limits
Symbol
AGC FF
AGC 0
Parameter
Magnetic field too low alarm limit
Magnetic field too high alarm limit
Magnetic field alarm limit trim range
Conditions
AGC = FF H
untrimmed, 25°C, 1sigma
untrimmed, 25°C, 1sigma
(see Hall Element Sensitivity Options on
page 7)
Min
20.3
44.5
100
Typ
Max
23.6
52.2
121
Units
mT
mT
%
Temperature coefficient of alarm ranges
Sensitivity increases with temperature which
partly compensates the temperature
coefficient of the magnet
0.052
%/K
6.5 Hall Element Sensitivity Options
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Units
sens = 00 (default); low sensitivity
(see 18-bit OTP Write Commands on page
25)
100
sens
Hall element sensitivity setting
sens = 01
106
%
sens = 10
sens = 11 (high sensitivity)
113
121
www.ams.com/AS5030
Revision 2.4
7 - 44
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PDF描述 |
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参数描述 |
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