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参数资料
| 型号： | AS5030 DB |
| 厂商： | ams |
| 文件页数： | 8/44页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD DEMO AS5030 |
| 标准包装： | 1 |
| 传感器类型： | 磁性，旋转位置 |
| 传感范围： | 360° |
| 接口： | USB |
| 电源电压： | 5V USB 或 7.5V |
| 嵌入式： | 是，MCU，8 位 |
| 已供物品： | 板 |
| 已用 IC / 零件： | AS5030 |
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AS5030
Datasheet - E l e c t r i c a l C h a r a c t e r i s t i c s
6.6 Programming Parameters
Symbol
V PROG
Parameter
Programming voltage
Conditions
Static voltage at pin PROG
Min
8.0
Typ
Max
8.5
Units
V
I PROG
Programming current
100
mA
Tamb PROG
t PROG
V R,prog
V R,unprog
Programming ambient temperature
Programming time
Analog readback voltage
During programming
Timing is internally generated
During Analog Readback mode at pin PROG
0
2
2.2
85
4
0.5
3.5
°C
μs
V
6.7 DC Characteristics of Digital Inputs and Outputs
CMOS Inputs: CLK, CS, DIO, C1, C2
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
V IH
V IL
I LEAK
High level input voltage
Low level input voltage
Input leakage current
0.7*VDD
0.3*VDD
1
V
V
μA
CMOS Outputs: DIO, MagRngn, PWM, DX
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
V OH
V OH
C L
High level output voltage
Low level output voltage
Capacitive load
Source current <4mA
Sink current <4mA
VDD-0.5
0.4
35
V
V
pF
CMOS Tristate Output: DIO
Symbol
IO Z
Parameter
Tristate leakage current
Conditions
CS = low
Min
Typ
Max
1
Units
μA
www.ams.com/AS5030
Revision 2.4
8 - 44
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PDF描述 |
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参数描述 |
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