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参数资料
| 型号： | AT25DF321-S3U |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 4/37页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH 32MBIT 70MHZ 16SOIC |
| 标准包装： | 46 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | DataFLASH |
| 存储容量： | 32M（16384 页 x 256 字节） |
| 速度： | 70MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 管件 |
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Figure 2-1.
8-SOIC Top View
Figure 2-2.
16-SOIC Top View
CS
SO
WP
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
HOLD
SCK
SI
HOLD
VCC
NC
1
2
3
16
15
14
SCK
SI
NC
NC
NC
NC
CS
SO
4
5
6
7
8
13
12
11
10
9
NC
NC
NC
GND
WP
3. Block Diagram
CONTROL AND
I/O BUFFERS
CS
SCK
INTERFACE
PROTECTION LOGIC
AND LATCHES
SRAM
DATA BUFFER
SI
SO
CONTROL
AND
LOGIC
Y-DECODER
Y-GATING
FLASH
WP
HOLD
X-DECODER
MEMORY
ARRAY
4. Memory Array
To provide the greatest flexibility, the memory array of the AT25DF321 can be erased in four lev-
els of granularity including a full chip erase. In addition, the array has been divided into physical
sectors of uniform size, of which each sector can be individually protected from program and
erase operations. The size of the physical sectors is optimized for both code and data storage
applications, allowing both code and data segments to reside in their own isolated
regions. Figure 4-1 on page 5 illustrates the breakdown of each erase level as well as the break-
down of each physical sector.
4
AT25DF321
3669B–DFLASH–6/09
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| AT25DF512C-MAHN-T | 功能描述:IC FLASH 512KB 8UDFN 制造商:adesto technologies 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:512K（64K x 8） 速度:85MHz 接口:SPI 串行 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UDFN（2x3） 标准包装:1 |
| AT25DF512C-MAHN-Y | 功能描述:IC FLASH 512KB 8UDFN 制造商:adesto technologies 系列:- 包装:托盘 零件状态:停产 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:512K（64K x 8） 速度:85MHz 接口:SPI 串行 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UDFN（2x3） 标准包装:490 |
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