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参数资料
| 型号： | AUIRF7640S2TR1 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 77A DIRECTFET-S2 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 77A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 450pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等距 SB |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET SB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AUIRF7640S2TR/TR1
Automotive DirectFET ? Tape & Reel Dimension (Showing component orientation).
F
D
G
H
NOTE: Controlling dimensions in mm
Std reel quantity is 4800 parts. (ordered as AUIRF7640S2TR). For 1000 parts on 7"
reel, order AUIRF7640S2TR1
REEL DIMENSIONS
STANDARD OPTION (QTY 4800)
TR1 OPTION (QTY 1000)
METRIC
IMPERIAL
METRIC
IMPERIAL
CODE
A
B
C
D
E
F
G
H
MIN
330.0
20.2
12.8
1.5
100.0
N.C
12.4
11.9
MAX
N.C
N.C
13.2
N.C
N.C
18.4
14.4
15.4
MIN
12.992
0.795
0.504
0.059
3.937
N.C
0.488
0.469
MAX
N.C
N.C
0.520
N.C
N.C
0.724
0.567
0.606
MIN
177.77
19.06
13.5
1.5
58.72
N.C
11.9
11.9
MAX
N.C
N.C
12.8
N.C
N.C
13.50
12.01
12.01
MIN
6.9
0.75
0.53
0.059
2.31
N.C
0.47
0.47
MAX
N.C
N.C
0.50
N.C
N.C
0.53
N.C
N.C
LOADED TAPE FEED DIRECTION
B
E
A
DIMENSIONS
H
G
NOTE: CONTROLLING
DIMENSIONS IN MM
CODE
A
METRIC
MIN MAX
7.90 8.10
IMPERIAL
MIN MAX
0.311 0.319
B
C
D
E
F
G
H
3.90
11.90
5.45
4.00
5.00
1.50
1.50
4.10
12.30
5.55
4.20
5.20
N.C
1.60
0.154
0.469
0.215
0.158
0.197
0.059
0.059
0.161
0.484
0.219
0.165
0.205
N.C
0.063
10
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AUIRF7665S2TR1 | MOSFET N-CH 100V 77A DIRECTFET2 |
| AUIRFR120ZTR | MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK |
| AUIRFR4105ZTR | MOSFET N-CH 55V 30A DPAK |
| AUIRLR024NTR | MOSFET N-CH 55V 17A DPAK |
| AUIRLR2703TR | MOSFET N-CH 30V 20A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AUIRF7647S2TR | 功能描述:MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRF7647S2TR1 | 功能描述:MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRF7648M2TR | 功能描述:MOSFET 60VAUTO GRADE 1 N-CH HEXFET 7mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRF7648M2TR1 | 功能描述:MOSFET 60VAUTO GRADE 1 N-CH HEXFET 7mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRF7665S2TR | 功能描述:MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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