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参数资料
| 型号： | AUIRF7640S2TR1 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 77A DIRECTFET-S2 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 77A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 450pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等距 SB |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET SB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AUIRF7640S2TR/TR1
DirectFET Auto ? Outline Dimension, SB Outline (Small Size Can).
Please see AN-1035 for DirectFET assembly details and stencil and substrate design recommendations
DIMENSIONS
METRIC
IMPERIAL
CODE
A
B
C
D
E
F
MIN
4.75
3.70
2.75
0.35
0.48
0.88
MAX
4.85
3.95
2.85
0.45
0.52
0.92
MIN
0.187
0.146
0.108
0.014
0.019
0.035
MAX
0.191
0.156
0.112
0.018
0.020
0.036
G
H
0.98 1.02
0.88 0.92
0.039
0.035
0.040
0.036
J
K
L
M
P
R
N/A
0.95
1.85
0.68
0.08
0.02
N/A
1.05
1.95
0.74
0.17
0.08
N/A
0.037
0.073
0.027
0.003
0.001
N/A
0.041
0.077
0.029
0.007
0.003
DirectFET ? Part Marking
"AU" = GATE AND
AUTOMOTIVE MARKING
LOGO
PART NUMBER
BATCH NUMBER
DATE CODE
Line above the last character of
the date code indicates "Lead-Free"
www.irf.com
9
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| AUIRF7647S2TR1 | 功能描述:MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRF7648M2TR | 功能描述:MOSFET 60VAUTO GRADE 1 N-CH HEXFET 7mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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