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参数资料
| 型号： | AUIRF7640S2TR1 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 77A DIRECTFET-S2 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 77A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 450pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等距 SB |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET SB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AUIRF7640S2TR/TR1
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter Min.
Typ. Max. Units
Conditions
BV DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
60
–––
––– V
V GS = 0V, I D = 250 μ A
ΔΒ V DSS / Δ T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.1
––– V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
27
36
m Ω
V GS = 10V, I D = 13A
V GS(th)
Δ V GS(th) / Δ T J
gfs
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Forward Transconductance
3.0
–––
9.3
4.0
-11
–––
5.0 V
––– mV/°C
––– S
V DS = V GS , I D = 25 μ A
V DS = 50V, I D = 13A
R G
Gate Resistance
–––
3.5
5.0
Ω
I DSS
Drain-to-Source Leakage Current
–––
–––
5
μ A
V DS = 60V, V GS = 0V
–––
–––
250
V DS = 48V, V GS = 0V, T J = 125°C
I GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
–––
–––
–––
100 nA
-100
V GS = 20V
V GS = -20V
Dynamic Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise stated)
Q g
Total Gate Charge
–––
7.3
11
Q gs1
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
–––
1.5
–––
V DS = 30V
Q gs2
Q gd
Q godr
Q sw
Q oss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
C oss
C oss
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q gs2 + Q gd )
Output Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.9
3.0
1.9
3.9
5.3
4.0
12
6.3
6.2
450
160
48
610
120
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nC
nC
ns
pF
V GS = 10V
I D = 13A
See Fig. 6 and 17
V DS = 16V, V GS = 0V
V DD = 30V, V GS = 10V
I D = 13A
R G =6.8 Ω
V GS = 0V
V DS = 25V
? = 1.0MHz
V GS = 0V, V DS = 1.0V, f=1.0MHz
V GS = 0V, V DS = 48V, f=1.0MHz
Diode Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise stated)
Parameter
Min.
Typ. Max. Units
Conditions
I S
Continuous Source Current
(Body Diode)
–––
–––
21
A
MOSFET symbol
showing the
D
I SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
–––
–––
84
integral reverse
p-n junction diode.
G
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
26
24
1.3
39
36
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = 13A, V GS = 0V
T J = 25°C, I F = 13A, V DD = 25V
di/dt = 100A/ μ s
? Surface mounted on 1 in. square Cu
(still air).
Notes ? through ? are on page 3
2
? Mounted to a PCB with small
clip heatsink (still air)
? Mounted on minimum footprint full size
board with metalized back and with small
clip heatsink (still air)
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AUIRF7647S2TR | 功能描述:MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRF7647S2TR1 | 功能描述:MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRF7648M2TR | 功能描述:MOSFET 60VAUTO GRADE 1 N-CH HEXFET 7mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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