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参数资料
| 型号： | AUIRF7665S2TR1 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 77A DIRECTFET2 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 77A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 62 毫欧 @ 8.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 515pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等距 SB |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET SB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AUIRF7665S2TR/TR1
100
10
1
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
100
10
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
0.1
1
0.01
5.0V
5.0V
0.001
0.1
1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
10
100
0.1
0.1
1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
10
100
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
140
320
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
120
ID = 8.9A
280
Vgs = 10V
240
100
T J = 125°C
200
80
160
120
T J = 125°C
60
T J = 25°C
80
T J = 25°C
40
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
40
0
10
20
30
40
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
Fig 3. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage
100
10
ID, Drain Current (A)
Fig 4. Typical On-Resistance vs. Drain Current
2.5
ID = 8.9A
VGS = 10V
2.0
1
0.1
0.01
T J = -40°C
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 25V
≤ 60μs PULSE WIDTH
1.5
1.0
0.5
2
4
6
8
10
12
14
16
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Transfer Characteristics
4
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 6. Normalized On-Resistance vs. Temperature
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| AUIRF7669L2TR | 功能描述:MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRF7669L2TR 1 | 制造商:International Rectifier 功能描述:AUIRF7669L2TR1 - MOSFET,,N CH,100V,375A,DIRECTFET,L8 |
| AUIRF7669L2TR1 | 功能描述:MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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