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参数资料
| 型号： | AUIRF7665S2TR1 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 77A DIRECTFET2 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 77A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 62 毫欧 @ 8.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 515pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等距 SB |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET SB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AUIRF7665S2TR/TR1
100
6.5
5.5
4.5
10
1
T J = -40°C
TJ = 25°C
TJ = 175°C
3.5
2.5
1.5
ID = 25μA
ID = 250μA
ID = 1.0mA
D = 1.0A
0.1
0.01
VGS = 0V
-75 -50 -25
0
25 50 75 100 125 150 175
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
T J , Temperature ( °C )
Fig 7. Typical Threshold Voltage vs. Junction Temperature
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 8. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
20
18
16
14
12
10
T J = 25°C
T J = 175°C
10000
1000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
C iss = C gs + C gd, C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
Ciss
8
6
100
Coss
4
2
0
V DS = 10V
380μs PULSE WIDTH
10
Crss
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
1
10
100
ID,Drain-to-Source Current (A)
Fig 9. Typical Forward Transconductance Vs. Drain Current
14.0
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 10. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage
16
12.0
10.0
8.0
ID= 8.9A
VDS= 80V
VDS= 50V
VDS= 20V
14
12
10
8
6.0
6
4.0
2.0
0.0
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
25
50
75
100
125
150
175
QG, Total Gate Charge (nC)
Fig.11 Typical Gate Charge vs.Gate-to-Source Voltage
www.irf.com
T C , Case Temperature (°C)
Fig 12. Maximum Drain Current vs. Case Temperature
5
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| AUIRF7669L2TR 1 | 制造商:International Rectifier 功能描述:AUIRF7669L2TR1 - MOSFET,,N CH,100V,375A,DIRECTFET,L8 |
| AUIRF7669L2TR1 | 功能描述:MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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