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参数资料
| 型号： | AUIRF7665S2TR1 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 77A DIRECTFET2 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 77A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 62 毫欧 @ 8.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 515pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等距 SB |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET SB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AUIRF7665S2TR/TR1
1000
160
100
10
1
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100μsec
1msec
10msec
140
120
100
80
60
ID
TOP 1.64A
3.04A
BOTTOM 8.90A
0.1
0.01
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
DC
40
20
0
0
1
10
100
1000
25
50
75
100
125
150
175
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 13. Maximum Safe Operating Area
10
D = 0.50
Starting T J , Junction Temperature (°C)
Fig 14. Maximum Avalanche Energy vs. Temperature
1
0.20
0.10
0.05
0.49687
0.000119
τ C
0.00517
8.231486
2.55852
0.018926
0.1
0.01
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
τ J
R 1
R 1
τ J
τ 1
τ 1
Ci= τ i / Ri
Ci i / Ri
τ 2
R 2
R 2
τ 2
R 3
R 3
τ 3
τ 3
R 4 Ri (°C/W) τ i (sec)
R 4
τ
τ 4
τ 4
1.94004 0.002741
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 15. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
100
10
Duty Cycle = Single Pulse
0.01
Allowed avalanche Current vs avalanche
pulsewidth, tav, assuming ? Tj = 150°C and
Tstart =25°C (Single Pulse)
1
0.05
0.10
0.1
Allowed avalanche Current vs avalanche
pulsewidth, tav, assuming ?Τ j = 25°C and
Tstart = 150°C.
0.01
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
tav (sec)
Fig 16. Typical Avalanche Current Vs.Pulsewidth
6
www.irf.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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