参数资料
型号: AUIRFR4105ZTR
厂商: International Rectifier
文件页数: 6/14页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
标准包装: 2,000
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 30A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 24.5 毫欧 @ 18A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 740pF @ 25V
功率 - 最大: 48W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 带卷 (TR)
AUIRFR/U4105Z
30
25
2.5
I D = 18A
VGS = 10V
2.0
20
15
1.5
10
1.0
5
0
0.5
25
50
75
100
125
150
175
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
10
D = 0.50
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 10. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
1
0.20
0.10
τ C
0.1
0.05
0.02
0.01
τ J
τ J
τ 1
τ 1
R 1
R 1
τ 2
R 2
R 2
τ 2
R 3
R 3
τ 3
τ 3
τ
Ri (°C/W) τ i (sec)
1.100 0.000174
1.601 0.000552
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Ci= τ i / Ri
Ci i / Ri
0.418 0.007193
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
6
www.irf.com
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