参数资料
型号: AUIRFR4105ZTR
厂商: International Rectifier
文件页数: 7/14页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
标准包装: 2,000
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 30A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 24.5 毫欧 @ 18A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 740pF @ 25V
功率 - 最大: 48W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 带卷 (TR)
AUIRFR/U4105Z
15V
120
VDS
L
DRIVER
100
ID
TOP 2.0A
3.5A
BOTTOM 18A
RG
GS
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
80
60
40
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V (BR)DSS
20
0
25
50
75
100
125
150
175
Starting T J, Junction Temperature (°C)
I AS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Q G
10 V
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Q GS
Q GD
4.5
V G
4.0
Charge
3.5
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
3.0
I D = 250μA
- DS
12V
.2 μ F
50K ?
.3 μ F
D.U.T.
+
V
2.5
2.0
V GS
3mA
I G
I D
-75 -50 -25
0 25  50  75  100 125 150 175
T J , Temperature ( °C )
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
www.irf.com
Fig 14. Threshold Voltage Vs. Temperature
7
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