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参数资料
| 型号： | BAS45AL,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 98K |
| 描述： | DIODE LOW LEAK 125V 250MA SOD80C |
| 标准包装： | 2,500 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 125V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 250mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 100mA |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 1.5µs |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1nA @ 125V |
| 电容@ Vr, F： | 4pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-80C |
| 供应商设备封装： | LLDS; MiniMelf |
| 包装： | 带卷 (TR) |
                        BAS45AL All information provided in this document is subject to legal disclaimers. ? NXP B.V. 2010. All rights reserved. Product data sheet Rev. 5 — 6 August 2010 2 of 11 NXP Semiconductors BAS45AL Low-leakage diode 3. Ordering information 4. Marking 5. Limiting values [1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint. [2] Tj =25°C prior to surge. Table 3. Ordering information Type number Package Name Description Version BAS45AL - hermetically sealed glass surface-mounted package; 2 connectors SOD80C Table 4. Marking codes Type number Marking code BAS45AL marking band Table 5. Limiting values In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). Symbol Parameter Conditions Min Max Unit VRRM repetitive peak reverse voltage -125V VR reverse voltage - 125 V IF forward current [1] -250mA IFRM repetitive peak forward current -625mA IFSM non-repetitive peak forward current square wave [2] tp =1μs-4A tp =1ms - 1 A tp =1s - 0.5 A Ptot total power dissipation Tamb ≤ 25 °C [1] -400mW Tj junction temperature - 175 °C Tstg storage temperature ?65 +175 °C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| BAS70-7-F | DIODE SCHOTTKY 70V 200MW SOT23-3 |
| BAS70LT1 | DIODE SCHOTTKY 70V SOT23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS45L | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BAS46 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:DIODE DETEKTOR UHF |
| BAS48 | 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:350mA Schottky Barrier Rectifier 40 Volts |
| BAS-5100 | 制造商:Bud Industries Inc 功能描述: |
| BAS-5101 | 制造商:Bud Industries Inc 功能描述: |
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