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参数资料
| 型号： | BAS45AL,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 98K |
| 描述： | DIODE LOW LEAK 125V 250MA SOD80C |
| 标准包装： | 2,500 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 125V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 250mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 100mA |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 1.5µs |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1nA @ 125V |
| 电容@ Vr, F： | 4pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-80C |
| 供应商设备封装： | LLDS; MiniMelf |
| 包装： | 带卷 (TR) |
                    BAS45AL All information provided in this document is subject to legal disclaimers. ? NXP B.V. 2010. All rights reserved. Product data sheet Rev. 5 — 6 August 2010 3 of 11 NXP Semiconductors BAS45AL Low-leakage diode 6. Thermal characteristics [1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint. 7. Characteristics [1] When switched from IF = 10 mA to IR =10mA; RL = 100 Ω; measured at IR =1mA. Table 6. Thermal characteristics Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit Rth(j-t) thermal resistance from junction to tie-point - - 300 K/W Rth(j-a) thermal resistance from junction to ambient in free air [1] - - 375 K/W Table 7. Characteristics Tj =25°C unless otherwise specified. Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit VF forward voltage IF = 1 mA - - 780 mV IF = 10 mA - - 860 mV IF = 100 mA - - 1000 mV IR reverse current Emax =100lx VR = 125 V - - 1 nA VR =30V; Tj = 125 °C - - 300 nA VR = 125 V; Tj =125°C - - 500 nA VR = 125 V; Tj =150°C--2μA Cd diode capacitance VR =0V; f=1MHz --4pF trr reverse recovery time [1] -1.5-μs |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS45L | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
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| BAS48 | 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:350mA Schottky Barrier Rectifier 40 Volts |
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