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参数资料
| 型号： | BAS45AL,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 98K |
| 描述： | DIODE LOW LEAK 125V 250MA SOD80C |
| 标准包装： | 2,500 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 125V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 250mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 100mA |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 1.5µs |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1nA @ 125V |
| 电容@ Vr, F： | 4pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-80C |
| 供应商设备封装： | LLDS; MiniMelf |
| 包装： | 带卷 (TR) |
   BAS45AL All information provided in this document is subject to legal disclaimers. ? NXP B.V. 2010. All rights reserved. Product data sheet Rev. 5 — 6 August 2010 4 of 11 NXP Semiconductors BAS45AL Low-leakage diode FR4 PCB, standard footprint (1) Tj = 150 °C; typical values (2) Tj =25°C; typical values (3) Tj =25°C; maximum values Fig 1. Forward current as a function of ambient temperature; derating curve Fig 2. Forward current as a function of forward voltage Based on square wave currents. Tj =25°C prior to surge Fig 3. Non-repetitive peak forward current as a function of pulse duration; maximum values mbg522 0 0 100 IF (mA) 200 300 100 200 Tamb ( °C) mbg523 0 0 1.00.5 1.5VF (V) 300 100 200 IF (mA) (1) (2) (3) mbg704 10 1 102 IFSM (A) 10?1 tp ( μs) 11010 102 103 4 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAS521,115 | DIODE SW 300V 250MA H-S SOD523 |
| BAS521-7 | DIODE 300V 250MA SOD523 |
| BAS521LP-7 | DIODE 325V 400MA DFN1006-2 |
| BAS70-7-F | DIODE SCHOTTKY 70V 200MW SOT23-3 |
| BAS70LT1 | DIODE SCHOTTKY 70V SOT23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS45L | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BAS46 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:DIODE DETEKTOR UHF |
| BAS48 | 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:350mA Schottky Barrier Rectifier 40 Volts |
| BAS-5100 | 制造商:Bud Industries Inc 功能描述: |
| BAS-5101 | 制造商:Bud Industries Inc 功能描述: |
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