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参数资料
| 型号： | BAS45AL,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 98K |
| 描述： | DIODE LOW LEAK 125V 250MA SOD80C |
| 标准包装： | 2,500 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 125V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 250mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 100mA |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 1.5µs |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1nA @ 125V |
| 电容@ Vr, F： | 4pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-80C |
| 供应商设备封装： | LLDS; MiniMelf |
| 包装： | 带卷 (TR) |
     BAS45AL All information provided in this document is subject to legal disclaimers. ? NXP B.V. 2010. All rights reserved. Product data sheet Rev. 5 — 6 August 2010 5 of 11 NXP Semiconductors BAS45AL Low-leakage diode 8. Test information VR = 125 V f = 1 MHz; Tj =25°C Fig 4. Reverse current as a function of junction temperature Fig 5. Diode capacitance as a function of reverse voltage; typical values mbd456 104 103 102 10 10?1 0 100 150 50 1 IR (nA) Tj (°C) typ max mbg524 0 010205 15 VR (V) 3 2 1 Cd (pF) Fig 6. Reverse recovery time test circuit and waveforms trr (1) + I F t output signal tr tp t 10 % 90 % VR input signal V = VR + IF × RS RS = 50 Ω IF D.U.T. Ri = 50 Ω SAMPLING OSCILLOSCOPE mga881 |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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