参数资料
| 型号： | BD3508EKN-E2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 5/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG LDO ADJ 20HQFN |
| 标准包装： | 2,500 |
| 稳压器拓扑结构： | 正，可调式 |
| 输出电压： | 可调 |
| 输入电压： | 1.2 V ~ 6.5 V |
| 电压 - 压降（标准）： | 0.065V @ 1A |
| 稳压器数量： | 1 |
| 电流 - 限制（最小）： | 3A |
| 工作温度： | -10°C ~ 100°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 20-VQFN |
| 供应商设备封装： | 20-HQFN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
1.25
VCC
Ven
VIN
Vo
VCC
Ven
VIN
Vo
1.23
1.21
1.19
1.17
1.15
VIN → Ven → VCC
Ven → VIN → VCC
-10
10
30
50
70
90 100
Ta( ℃ )
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
0.70
0.65
0.60
0.55
0.50
Fig.13 Input sequence
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
Fig.14 Input sequence
2
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
Fig.15 Ta-Vo (Io=0mA)
-10
10
30
50
70
90 100
-60
-30
0
30 60
90
120 150
-10
10
30
50
70
90 100
30
25
20
15
10
5
0
Ta( ℃ )
Fig.16 Ta-ICC
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
Ta( ℃ )
Fig.17 Ta-ISTB
20
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
Ta( ℃ )
Fig.18 Ta-IIN
-60
-30
0
30 60
90
120
150
-10
10
30
50
70
90
100
-10
10
30
50
70
90 100
10
Ta( ℃ )
Fig.19 Ta-IINSTB
60
Ta( ℃ )
Fig.20 Ta-INRCS
60
Ta( ℃ )
Fig.21 Ta-IFB
9
8
7
6
50
40
55
50
45
1.8V
2.5V
5
4
30
40
3
20
35
2
1
0
10
0
30
25
1.2V
-10
10
30
50
70
90 100
-10
10
30
50
70
90
100
2
4
6
8
Ta( ℃ )
Fig.22 Ta-Ien
Ta( ℃ )
Fig.23 Ta-RON
(VCC=5V/Vo=1.2V)
Vcc(V)
Fig.24 VCC-RON
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| BD3509MUV | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Nch FET Ultra LDO for PC Chipsets |
| BD3509MUV_10 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Nch FET Ultra LDO for PC Chipsets |
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