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参数资料
| 型号： | BF1205 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| 封装： | BF1205<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,;BF1205<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free |
| 文件页数： | 15/25页 |
| 文件大小： | 626K |
| 代理商： | BF1205 |
2003 Sep 30
15
NXP Semiconductors
Product specification
Dual N-channel dual gate MOS-FET
BF1205
handbook, halfpage
(mA)
0
50
0
4
8
12
16
10
20
30
40
IG1 (
μ
A)
MGX449
Fig.22 Drain current as a function of gate 1 current;
typical values; amplifier b.
V
DS
(b) = 5 V; V
G2-S
= 4 V; V
DS
(a) = V
G1-S
(a) = 0 V; T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
ID
(mA)
0
VGG (V)
1
5
12
4
0
8
2
3
4
MGX450
Fig.23 Drain current as a function of gate 1 supply
voltage (V
GG
); typical values; amplifier b.
V
DS
(b) = 5 V; V
= 4 V; V
(a) = V
(a) = 0 V;
T
j
= 25
C; R
G1
(b) = 150 k
(connected to V
GG
); see Fig.4.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF1206F | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1206F | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1206 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1206 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1207 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF1205,115 | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
| BF1205,135 | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
| BF1205115 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BF1205C | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel dual gate MOS-FET |
| BF1205C T/R | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
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