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参数资料
| 型号： | BF1205 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| 封装： | BF1205<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,;BF1205<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free |
| 文件页数： | 5/25页 |
| 文件大小： | 626K |
| 代理商： | BF1205 |
2003 Sep 30
5
NXP Semiconductors
Product specification
Dual N-channel dual gate MOS-FET
BF1205
handbook, halfpage
ID
(mA)
0
VGG (V)
5
12
4
0
8
2
3
1
4
MGX430
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
Fig.3 Drain currents of MOS-FET a and b as
functions of V
GG
(see Fig.4).
(1) I
D
(b); R
G1
= 120 k
.
(2) I
D
(b); R
G1
= 150 k
.
(3) I
D
(b); R
G1
= 180 k
.
(4) I
D
(a); R
G1
= 180 k
.
(5) I
D
(a); R
G1
= 150 k
.
(6) I
D
(a); R
G1
= 120 k
.
handbook, halfpage
MGX431
VGG
RG1
d (a)
s
d (b)
g1 (a)
g2
g1 (b)
Fig.4 Functional diagram
V
GG
= 5 V: amplifier a is OFF; amplifier b is ON.
V
GG
= 0 V: amplifier a is ON; amplifier b is OFF.
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