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参数资料
| 型号： | BF1216 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| 中文描述： | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | PLASTIC, MICRO MINIATURE, PLASTIC, SC-88, 6 PIN |
| 文件页数： | 14/17页 |
| 文件大小： | 185K |
| 代理商： | BF1216 |
BF1216_1
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NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 29 April 2010
14 of 17
NXP Semiconductors
BF1216
Dual N-channel dual gate MOSFET
11. Abbreviations
Table 11.
Acronym
AGC
MOSFET
UHF
VHF
12. Revision history
Table 12.
Document ID
BF1216_1
Abbreviations
Description
Automatic Gain Control
Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor
Ultra High Frequency
Very High Frequency
Revision history
Release date
20100429
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
-
Supersedes
-
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF1217WR | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1218 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1218 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF245A | N-channel FET |
| BF245B | N-channel FET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF1216,115 | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Channel 6V 30mA 180mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
| BF-1216-10SV-Y103 | 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:MIL-C-83723 FIREWALL - Bulk |
| BF1216115 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BF-1216-24SV06-Y103 | 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:MIL-C-83723 FIREWALL - Bulk |
| BF-1216-24SV06-Y70 | 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:MIL-C-83723 FIREWALL - Bulk |
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