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参数资料
| 型号： | BR25L640F-WE2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 13/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM SER 64KB SPI BUS 8SOP |
| 标准包装： | 2,500 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 64K (8K x 8) |
| 速度： | 5MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
BR25L010-W, BR25L020-W, BR25L040-W, BR25L080-W, BR25L160-W, BR25L320-W, BR25L640-W
Technical Note
In order to realize more stable high speed operation, it is recommended to make the values of R PU , R PD as large as
possible, and make the amplitude of signal input to EEPROM close to the amplitude of VCC / GND level.
(*1 At this moment, operating timing guaranteed value is guaranteed.)
tPD-VIL characteristics
80
75
70
65
60
55
V CC =1.8V
Ta =25°C
VIH=V CC
C L =100pF
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
VIL[V]
Fig.55 V IL dependency of
data output delay time
SO load capacity condition
Load capacity of SO output pin affects upon delay characteristic of SO output. (Data output delay time, time from HOLD
to High-Z) In order to make output delay characteristic into higher speed, make SO load capacity small. In concrete, "Do
not connect many devices to SO bus", "Make the wire between the controller and EEPROM short", and so forth.
tPD-CL characteristics
80
V CC =1.8V Ta =25°C
70
60
50
40
VIH/VIL=0.8V CC /0.2V CC
EEPROM
SO
CL
0
20
40
60
80
100
120
C L [ V]
Fig.56 SO load dependency of data output delay time
Other cautions
Make the wire length from the microcontroller to EEPROM input signal same length, in order to prevent setup / hold violation
to EEPROM, owing to difference of wire length of each input.
www.rohm.com
? 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2010.07 - Rev. B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BR25S128GUZ-WE2 | IC EEPROM SPI 128KB 12-WLCSP |
| BR25S256F-WE2 | IC EEPROM SPI 256KB 20MHZ 8-SOP |
| BR34E02FVT-WE2 | IC EEPROM SPD 2KB I2C 8TSSOP |
| BR34L02FV-WE2 | IC EEPROM 2KBIT 400KHZ 8SSOP |
| BR93L76RFVJ-WE2 | IC EEPROM 8KBIT 2MHZ 8TSSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BR25L640-W | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:SPI BUS Serial EEPROMs |
| BR25L-E | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Htgh speed clock action up to 5MHz(Max.), Wait function by HOLD terminal |
| BR25S128FJ-WE2 | 功能描述:IC EEPROM SPI 128KB 20MHZ 8-SOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:16K (1K x 16) 速度:2MHz 接口:Microwire 3 线串行 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOP-J 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1380 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:BR93L86FJ-WE2DKR |
| BR25S128FVT-WE2 | 功能描述:IC EEPROM SPI 128KB 20MHZ 8TSSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:16K (1K x 16) 速度:2MHz 接口:Microwire 3 线串行 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOP-J 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1380 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:BR93L86FJ-WE2DKR |
| BR25S128FV-WE2 | 功能描述:IC EEPROM SPI 128KB 20MHZ 8-SSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:16K (1K x 16) 速度:2MHz 接口:Microwire 3 线串行 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOP-J 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1380 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:BR93L86FJ-WE2DKR |
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