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参数资料
| 型号： | BR25L640F-WE2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM SER 64KB SPI BUS 8SOP |
| 标准包装： | 2,500 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 64K (8K x 8) |
| 速度： | 5MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
BR25L010-W, BR25L020-W, BR25L040-W, BR25L080-W, BR25L160-W, BR25L320-W, BR25L640-W
Technical Note
Pin assignment and description
Terminal name Input/output
Function
V CC
HOLD
SCK
SI
V CC
–
Power source to be connected
GND
–
All input / output reference voltage, 0V
BR25L010-W
BR25L020-W
BR25L040-W
BR25L080-W
BR25L160-W
BR25L320-W
BR25L640-W
CS
SCK
SI
SO
HOLD
Input
Input
Input
Output
Input
Chip select input
Serial clock input
Start bit, ope code, address, and serial data input
Serial data output
Hold input
Command communications may be suspended temporarily (HOLD status).
Write protect input
CS SO WP GND
Fig. 2 Pin assignment diagram
WP
Input
Write command is prohibited. *1
Write status register command is prohibited.
*1:BR25L010/020/040-W
Operating timing characteristics
Sync data input / output timing
(Ta = -40 ~ +85?C, unless otherwise specified, load capacity C L1 100pF)
tCS
tCSS
Parameter
Symbol
1.8 ≤ V CC <2.5V 2.5 ≤ V CC <5.5V
Min. Typ. Max. Min. Typ. Max.
Unit
CS
tSCKS
tSCKWL tSCKWH
tRC
tFC
SCK frequency
fSCK
–
–
2
–
–
5
MHz
SCK
SCK high time
SCK low time
tSCKWH
tSCKWL
200
200
– –
– –
85
85
– –
– –
ns
ns
SI
tDIS tDIH
CS high time
CS setup time
CS hold time
tCS
tCSS
tCSH
200
200
200
– –
– –
– –
85
90
85
– –
– –
– –
ns
ns
ns
SO
High-Z
Fig. 3 Input timing
SCK setup time
SCK hold time
SI setup time
SI hold time
tSCKS
tSCKH
tDIS
tDIH
200
200
40
50
– –
– –
– –
– –
90
90
20
40
– –
– –
– –
– –
ns
ns
ns
ns
SI is taken into IC inside in sync with data rise edge of SCK. Input
address and data from the most significant bit MSB.
tCS
Data output delay time 1
tPD1
– –
150
– –
70
ns
CS
tCSH tSCKH
Data output delay time 2
(CL 2 =30pF)
tPD2
–
–
145
–
–
55
ns
SCK
Output hold time
tOH
0
–
–
0
–
–
ns
SI
tPD
tOH
tRO,tFO tOZ
Outpu t disable time
HOLD setting
setup time
tOZ
tHFS
–
120
–
–
250
–
–
60
–
–
100
–
ns
ns
SO
Fig. 4 Input / output timing
High-Z
HOLD setting
hold time
tHFH
90
–
–
40
–
–
ns
SO is output in sync with data fall edge of SCK. Data is output
from the most significant bit MSB.
HOLD release
setup time
HOLD release
hold time
tHRS
tHRH
120
140
–
–
–
–
60
70
–
–
–
–
ns
ns
CS
SCK
"H"
"L"
tHFS tHFH
tHRS tHRH
tDIS
Time from HOLD
to output High-Z
tHOZ
–
–
250
–
–
100
ns
SI
n+1
tHOZ
n
tHPD
n-1
Time from HOLD
to output change
tHPD
–
–
150
–
–
70
ns
SO
HOLD
Dn+1
Dn
High-Z
Dn
Dn-1
SCK
rise time
SCK
fall time
OUTPUT
rise time
OUTPUT
fall time
Write time
*1
*1
*1
*1
tRC
tFC
tRO
tFO
tE/W
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
1
1
100
100
5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
1
1
50
50
5
μ s
μ s
ns
ns
ms
Fig. 5 HOLD timing
*1NOT 100% TESTED
AC measurement conditions
Parameter
Symbol
Min.
Limits
Typ. Max.
Unit
Load capacity 1
C L1
–
–
100
pF
Load capacity 2
Input rise time
Input fall time
C L2
–
–
– –
– –
– –
30 pF
50 ns
50 ns
Input voltage
Input / output judgment voltage
–
–
0.2V CC /0.8V CC
0.3V CC /0.7V CC
V
V
www.rohm.com
? 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2010.07 - Rev. B
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PDF描述 |
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