参数资料
型号: BR25L640F-WE2
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 4/17页
文件大小: 0K
描述: IC EEPROM SER 64KB SPI BUS 8SOP
标准包装: 2,500
格式 - 存储器: EEPROMs - 串行
存储器类型: EEPROM
存储容量: 64K (8K x 8)
速度: 5MHz
接口: SPI 3 线串行
电源电压: 1.8 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOP
包装: 带卷 (TR)
BR25L010-W, BR25L020-W, BR25L040-W, BR25L080-W, BR25L160-W, BR25L320-W, BR25L640-W
Characteristic data (The following characteristic data are Typ. values.)
Technical Note
6
5
4
6
5
4
1
0.8
3
SPEC
3
T a=85?         C
T a=25?         C
0.6
Ta=85?C
2
2
T a=-40?           C
0.4
SPEC
Ta=25?C
1
Ta=85?C
Ta=25?C
Ta=-40?C
1
SPEC
0.2
T a=-40?           C
0 0
1
2
3
4
5
6
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
1
2
3
4
5
V CC [V]
Fig.6 "H" input voltage VIH(CS,SCK,SI,HOLD,WP)
2
V CC [V]
Fig.7 "L" input voltage VIL(CS,SCK,SI,HOLD,WP)
1
2.6
IOL[mA]
Fig.8 "L" output voltage VOL-IOL(V CC =1.8V)
T a=-40?           C
1.8
Ta=-40?C
0.8
0.6
2.4
1.6
Ta=25?C
SPEC
2.2
Ta=25?C
SPEC
T a=85?         C
0.4
Ta=85?C
T a=25?         C
SPEC
Ta=85?C
1.4
0.2
Ta=-40?C
2
1.2
0
1.8
0
0.4
0.8
0
1
2
3
4
5
0
0.4
0.8
IOH[mA]
Fig.9 "H" output voltage VOH-IOH(V CC =1.8V)
IOL[mA]
Fig.10 "L" output voltage VOL-IOL(V CC =2.5V)
IOH[mA]
Fig.11 "H" output voltage VOH-IOH(V CC =2.5V)
V CC =2.5V 2mA
1.2
SPEC
1.2
SPEC
4
fSCK=5MHz
V CC =5.5V 3mA
1
1
DATA=55h
SPEC
3
0.8
0.8
S PE   C
0.8
0.4
Ta=85?C
Ta=25?C
0.6
0.4
T a=85?         C
T a=25?         C
2
1
Ta=-40?C
Ta=25?C
0.2
T a=-40?           C
0.2
Ta=-40?C
Ta=85?C
0
0
1
2
3
4
6
5
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
1
2
3
4
5
6
V CC [V]
Fig.12 Input leak current ILI(CS,SCK,SI,WP,HOLD)
V CC [V]
Fig.13 Output leak current ILO(SO)
V CC [V]
Fig.14 Current consumption at WRITE operation
ICC1,2,3(WRITE,PAGE WRITE,WRSR,fSCK=5MHz)
BR25L010-W,BR25L020-W,BR25L040-W
Vcc=2.5V 1.5mA
2.5
Vcc=5.5V 2.0mA
2.5
100
fSCK=5MHz
DATA=55h
SPEC
SPEC
Ta= -40? C
Ta=25?C
2
2
SPEC
10
Ta=85?C
1.5
Ta=-40?C
Ta=25?C
1.5
S PE   C
1
1
1
S PE   C
0.5
Ta=85?C
0.5
Ta=85?C
Ta=25?C
Ta= -40?C
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
1
2
3
4
5
6
0.1
0
1
2
3
4
5
6
V CC [V]
Fig.15 Consumption current at READ operation
ICC4,5(READ,WRSR,fSK=5MHz)
250
S PE   C
200
150
V CC [V]
Fig.16 Consumption current at standby operation ISB
250
SPEC
200
150
250
200
150
V CC [V]
Fig.17 SCK frequency fSCK
S PE   C
S PE   C
100
SPEC
100
SPEC
100
50
Ta= -40?C
T a=85?C
Ta=25?C
50
Ta=25?C
T a= -40?       C
50
T a=85?C
Ta=25?C
Ta= -40?C
Ta=85?C
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
1
2
3
4
5
6
V CC [V]
Fig.18 tSCK high time tSCKWH
www.rohm.com
? 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
V CC [V]
Fig.19 SCK low time tSCKWL
4/16
V CC [V]
Fig.20 CS high time tCS
2010.07 - Rev. B
相关PDF资料
PDF描述
BR25S128GUZ-WE2 IC EEPROM SPI 128KB 12-WLCSP
BR25S256F-WE2 IC EEPROM SPI 256KB 20MHZ 8-SOP
BR34E02FVT-WE2 IC EEPROM SPD 2KB I2C 8TSSOP
BR34L02FV-WE2 IC EEPROM 2KBIT 400KHZ 8SSOP
BR93L76RFVJ-WE2 IC EEPROM 8KBIT 2MHZ 8TSSOP
相关代理商/技术参数
参数描述
BR25L640-W 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:SPI BUS Serial EEPROMs
BR25L-E 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Htgh speed clock action up to 5MHz(Max.), Wait function by HOLD terminal
BR25S128FJ-WE2 功能描述:IC EEPROM SPI 128KB 20MHZ 8-SOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:16K (1K x 16) 速度:2MHz 接口:Microwire 3 线串行 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOP-J 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1380 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:BR93L86FJ-WE2DKR
BR25S128FVT-WE2 功能描述:IC EEPROM SPI 128KB 20MHZ 8TSSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:16K (1K x 16) 速度:2MHz 接口:Microwire 3 线串行 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOP-J 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1380 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:BR93L86FJ-WE2DKR
BR25S128FV-WE2 功能描述:IC EEPROM SPI 128KB 20MHZ 8-SSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:16K (1K x 16) 速度:2MHz 接口:Microwire 3 线串行 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOP-J 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1380 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:BR93L86FJ-WE2DKR