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参数资料
| 型号： | BR34E02FVT-WE2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM SPD 2KB I2C 8TSSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 2K (256 x 8) |
| 速度： | 400kHz |
| 接口： | I²C，2 线串口 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
BR34E02FVT-W, BR34E02NUX-W
● Memory cell characteristics(Ta=25 ℃ , V CC =1.7V ～ 3.6V)
Technical Note
Parameter
Write / Erase Cycle *1
Specification
Min. Typ.
1,000,000 -
Max.
-
Unit
Cycles
Data Retention
*1
40 -
-
Years
*1:Not 100% TESTED
● Electrical characteristics - DC(Unless otherwise specified Ta=-40 ℃～ +85 ℃ , V CC =1.7V ～ 3.6V)
Parameter Symbol
Specification
Min. Typ. Max.
Unit Test Condition
"H" Input Voltage
VIH1 0.7 V CC
- Vcc+0.3 V
"L" Input Voltage
VIL1 - - 0.3 V CC
V
"L" Output Voltage 1
"L" Output Voltage 2
VOL1 -0.3 - 0.4 V IOL=2.1mA ， 2.5V ≦ V CC ≦ 3.6V(SDA)
VOL2 - - 0.2 V IOL=0.7mA ， 1.7V ≦ V CC ＜ 2.5V(SDA)
Input Leakage Current 1 ILI1 -1 - 1 μA VIN=0V ～ V CC (A0,A1,A2,SCL)
Input Leakage Current 2 ILI2 -1 - 15 μA VIN=0V ～ V CC (WP)
Input Leakage Current 3 ILI3 -1 - 20 μA VIN=VHV(A0)
Output Leakage Current ILO -1 - 1 μA VOUT=0V ～ V CC
V CC =1.7V,fSCL=100kHz ， tWR=5ms
ICC1 - - 1.0 mA
Byte Write
Page Write
Write Protect
V CC =3.6V,fSCL=100kHz, tWR=5ms
Operating Current
Standby Current
ICC2 - - 3.0 mA
ICC3 - - 0.5 mA
ISB - - 2.0 μA
Byte Write
Page Write
Write Protect
V CC =3.6V,fSCL=100kHz
Random Read
Current Read
Sequential Read
V CC =3.6V,SDA,SCL= V CC
A0,A1,A2=GND,WP=GND
A0 HV Voltage
VHV 7 - 10 V VHV-Vcc ≧ 4.8V
○ Note: This IC is not designed to be radiation-resistant.
● lectrical characteristics - AC(Unless otherwise specified Ta=-40 ℃～ +85 ℃ , VCC =1.7V ～ 3.6V)
FAST-MODE
STANDARD-MODE
Parameter Symbol
2.5V ≦ V CC ≦ 5.5V
1.7V ≦ V CC ≦ 5.5V
Unit
Min. Typ. Max. Min. Typ. Max.
Clock Frequency
fSCL - - 400 - - 100
kHz
Data Clock High Period tHIGH 0.6 - - 4.0 - -
Data Clock Low Period tLOW 1.2 - - 4.7 - -
μs
μs
SDA and SCL Rise Time *1
SDA and SCL Fall Time *1
tR - - 0.3 - - 1.0
tF - - 0.3 - - 0.3
μs
μs
Start Condition Hold Time tHD:STA 0.6 - - 4.0 - -
Start Condition Setup Time tSU:STA 0.6 - - 4.7 - -
Input Data Hold Time tHD:DAT 0 - - 0 - -
Input Data Setup Time tSU:DAT 100 - - 250 - -
μs
μs
ns
ns
Output Data Delay Time tPD
0.1 - 0.9 0.1 - 3.5
μs
Output Data Hold Time tDH 0.1 - - 0.1 - -
Stop Condition Setup Time tSU:STO 0.6 - - 4.0 - -
μs
μs
Bus Free Time
tBUF 1.2 - - 4.7 - -
μs
Write Cycle Time tWR - - 5 - - 5
ms
Noise Spike Width (SDA
and SCL)
WP Hold Time
WP Setup Time
WP High Period
*1 ： Not 100 ％ TESTED
tI - - 0.1 - - 0.1
tHD ： WP 0 - - 0 - -
tSU ： WP 0.1 - - 0.1 - -
tHIGH ： WP 1.0 - - 1.0 - -
μs
ns
μs
μs
www.rohm.com
? 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.09 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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