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参数资料
| 型号： | BSN20-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 500mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.8 欧姆 @ 220mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 40pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 600mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | BSN20-7DIDKR |
BSN20
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET
Product Summary
Features and Benefits
V (BR)DSS
50V
R DS(ON)
1.8 ? @ V GS = 10V
2.0 ? @ V GS = 4.5V
I D
T A = +25°C
500mA
450mA
?
?
?
?
Low On-Resistance
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage
?
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
Description
This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-
state resistance (R DS(ON) ) and yet maintain superior switching
?
?
?
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
PPAP Capable (Note 4)
performance, making it ideal for high efficiency power management
applications.
Mechanical Data
?
Case: SOT23
Applications
?
Case Material: Molded Plastic “Green” Molding Compound.
?
?
?
Backlighting
DC-DC Converters
Power Management Functions
SOT23
?
?
?
?
Drain
UL Flammability Classification Rating 94V-0
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020
Terminals: Matte Tin Finish annealed over Alloy 42 leadframe
(Lead Free Plating). Solderable per MIL-STD-202, Method 208 e3
Terminal Connections: See Diagram
Weight: 0.008 grams (approximate)
D
Gate
Source
G
S
Top View
Ordering Information (Note 5)
Equivalent Circuit
Top View
Part Number
BSN20-7
BSN20Q-7
Qualification
Standard
Automotive
Case
SOT23
SOT23
Packaging
3000/Tape & Reel
3000/Tape & Reel
Notes:
1. No purposely added lead. Fully EU Directive 2002/95/EC (RoHS) & 2011/65/EU (RoHS 2) compliant.
2. See http://www.diodes.com/quality/lead_free.html for more information about Diodes Incorporated’s definitions of Halogen- and Antimony-free, "Green"
and Lead-free.
3. Halogen- and Antimony-free "Green” products are defined as those which contain <900ppm bromine, <900ppm chlorine (<1500ppm total Br + Cl) and
<1000ppm antimony compounds.
4. Automotive products are AEC-Q101 qualified and are PPAP capable. Automotive, AEC-Q101 and standard products are electrically and thermally the
same, except where specified. For more information, please refer to http://www.diodes.com/quality/product_grade_definitions/
5. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/products/packages.html.
Marking Information
N20 = Product Type Marking Code
N20
N20
YM = Date Code Marking for SAT (Shanghai Assembly/ Test site)
YM = Date Code Marking for CAT (Chengdu Assembly/ Test site)
Y or Y = Year (ex: A = 2013)
M = Month (ex: 9 = September)
Date Code Key
Chengdu A/T Site
Shanghai A/T Site
Year
Code
2009
W
2010
X
2011
Y
2012
Z
2013
A
2014
B
2015
C
Month
Code
Jan
1
Feb
2
Mar
3
Apr
4
May
5
Jun
6
Jul
7
Aug
8
Sep
9
Oct
O
Nov
N
Dec
D
BSN20
Document number: DS31898 Rev. 8 - 2
1 of 6
www.diodes.com
September 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS123-7 | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 |
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| BSS123TC | MOSFET N-CHAN 100V SOT23-3 |
| BSS123W-7 | MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3 |
| BSS127S-7 | MOSFET N CH 600V 50MA SOT23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BSN20BKR | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.265A SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:265mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.49nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:20.2pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.8 欧姆 @ 200mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23） 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 |
| BSN20Q-7 | 功能描述:MOSFET NCH 50V 500MA SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 欧姆 @ 220mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:* 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 |
| BSN20T/R | 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述: |
| BSN20-T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BSN20W | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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