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参数资料
| 型号： | BSN20-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 500mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.8 欧姆 @ 220mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 40pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 600mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | BSN20-7DIDKR |
BSN20
0.8
0.7
40
35
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
25 ° C
150 ° C
30
25
20
15
10
C iss
0.1
0
5
0
C oss
C rss
0
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
0.8
0
5
10 15 20 25 30 35 40
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
I D , DRAIN-CURRENT (A)
Fig. 11 Typical Transfer Characteristic
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 12 Capacitance vs. Drain-Source Voltage
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
150 ° C
25 ° C
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
V SD , DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Fig. 13 Source Current vs. Diode Forward Voltage
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
H
A ll 7 °
K 1
K
J
G A U G E P L A N E
0 . 2 5
SOT23
Dim Min Max Typ
A 0.37 0.51 0.40
B
1.20 1.40 1.30
A
M
L
a
L 1
C
D
F
2.30 2.50 2.40
0.89 1.03 0.915
0.45 0.60 0.535
G
H
J
1.78 2.05 1.83
2.80 3.00 2.90
0.013 0.10 0.05
C
B
K
K1
L
L1
0.890 1.00 0.975
0.903 1.10 1.025
0.45 0.61 0.55
0.25 0.55 0.40
F
G
D
M 0.085 0.150 0.110
?? 8°
All Dimensions in mm
BSN20
Document number: DS31898 Rev. 8 - 2
5 of 6
www.diodes.com
September 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS123-7 | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 |
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| BSS123W-7 | MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3 |
| BSS127S-7 | MOSFET N CH 600V 50MA SOT23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BSN20BKR | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.265A SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:265mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.49nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:20.2pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.8 欧姆 @ 200mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23） 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 |
| BSN20Q-7 | 功能描述:MOSFET NCH 50V 500MA SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 欧姆 @ 220mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:* 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 |
| BSN20T/R | 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述: |
| BSN20-T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BSN20W | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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