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参数资料
| 型号： | BSN20-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 500mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.8 欧姆 @ 220mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 40pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 600mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | BSN20-7DIDKR |
BSN20
120
100
80
60
40
20
120
100
80
60
40
20
0
25
50 75 100 125 150 175
0
0
25
50 75 100 125 150 175
1
T S , SOLDER POINT TEMPERATURE (°C)
Fig 1. Normalized Total Power Dissipation
as a Function of Solder Point Temperature
R ds(on)
Limited
P W = DC
T S , SOLDER POINT TEMPERATURE (°C)
Fig 2. Normalized Continuous Current
vs. Solder Point Temperature
0.1
0.01
PW = 10s
P W = 1s
PW = 100ms
P W = 10ms
P W = 1ms
P W = 100μs
PW = 10μs
T J(MAX) = 150°C
T A = 25°C
Single Pulse
0.001
0.1
1 10
100
V DS , DRAIN-SOURE VOLTAGE (V)
Fig. 3 SOA, Safe Operation Area
1,000
100
D = 0.5
D = 0.3
D = 0.1
10
D = 0.05
D = 0.02
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
D = Single Pulse
1
0.00001
0.0001
0.001 0.01 0.1
1
10
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 4 Transient Thermal Response
BSN20
Document number: DS31898 Rev. 8 - 2
3 of 6
www.diodes.com
September 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| BSN20Q-7 | 功能描述:MOSFET NCH 50V 500MA SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 欧姆 @ 220mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:* 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 |
| BSN20T/R | 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述: |
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