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参数资料
| 型号： | BSN20-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 500mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.8 欧姆 @ 220mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 40pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 600mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | BSN20-7DIDKR |
BSN20
Maximum Ratings (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Characteristic
Symbol
V DSS
V GSS
Value
50
? 20
Units
V
V
Continuous Drain Current
@ T SP = +25°C (Note 6)
Steady
State
T A = +25°C
T A = +100°C
I D
500
300
mA
Pulsed Drain Current @ T SP = +25°C (Notes 6 & 7)
I DM
1.2
A
Thermal Characteristics
Characteristic
Power Dissipation, @T A = +25°C (Note 6)
Thermal Resistance, Junction to Ambient @T A = +25°C (Note 6)
Power Dissipation, @T SP = +25°C (Note 6)
Thermal Resistance, @T SP = +25°C (Note 6)
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
P D
R ? JA
P D
R ? JSP
T J , T STG
Value
600
200
920
136
-55 to +150
Units
mW
? C/W
mW
°C/W
°C
.
Electrical Characteristics (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 8)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current T J = +25°C
Gate-Body Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
50
?
?
?
?
?
?
0.5
? 100
V
μA
nA
V GS = 0V, I D = 250μA
V DS = 50V, V GS = 0V
V GS = ? 20V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 8)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transfer Admittance
Diode Forward Voltage
Source (diode forward) Current
Peak Source (diode forward) Current
V GS(th)
R DS(ON)
|Y fs |
V SD
I S
I SM
0.4
?
40
?
?
?
1.0
1.3
1.6
320
1.0
?
?
1.5
1.8
2.0
?
1.5
194
1.2
V
?
mS
V
mA
A
V DS = V GS , I D = 250μA
V GS = 10V, I D = 0.22A
V GS = 4.5V, I D = 0.1A
V DS = 10V, I D = 0.1A
V GS = 0V, I S = 180mA
T SP = +25°C
T SP = +25°C (Notes 3 & 4)
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note 9)
Input Capacitance
C iss
?
21.8
40
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
C oss
C rss
R g
Q g
Q gs
Q gd
t D(on)
t r
t D(off)
t f
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
5.6
3.3
49
800
100
100
2.93
2.99
9.45
8.3
15
10
?
?
?
?
?
?
?
?
pF
pF
?
pC
pC
pC
ns
ns
ns
ns
V DS = 10V, V GS = 0V, f = 1.0MHz
V DS =0V, V GS = 0V, f = 1MHz
V GS = 10V, V DD = 25V,
I D = 250mA
V DD = 30V, V GEN = 10V,
R L = 150 ? , R GEN = 50 ? ,
I D = 0.2A
Notes:
6. Device mounted on FR-4 PCB, with minimum recommended pad layout.
7. Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.
8. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
9. Guaranteed by design. Not subject to production testing.
BSN20
Document number: DS31898 Rev. 8 - 2
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www.diodes.com
September 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| BSS127S-7 | MOSFET N CH 600V 50MA SOT23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BSN20BKR | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.265A SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:265mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.49nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:20.2pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.8 欧姆 @ 200mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23） 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 |
| BSN20Q-7 | 功能描述:MOSFET NCH 50V 500MA SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 欧姆 @ 220mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:* 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 |
| BSN20T/R | 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述: |
| BSN20-T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BSN20W | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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