参数资料
型号: BSS138DW-7
厂商: Diodes Inc
文件页数: 3/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET DUAL N-CHAN 50V SC70-6
标准包装: 10
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 50V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 200mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.5 欧姆 @ 220mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 50pF @ 10V
功率 - 最大: 200mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装: SOT-363
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: BSS138DWDICT
BSS138DW
0.6
0.5
T j = 25 ° C
V GS = 3.5V
V GS = 3.25V
0.8
0.7
0.6
V DS = 1V
-55°C
25 ° C
0.4
0.3
V GS = 3.0V
V GS = 2.75V
0.5
0.4
150°C
0.2
0.1
V GS = 2.5V
0.3
0.2
0.1
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Drain-Source Current vs. Drain-Source Voltage
2.45
2.25
2.05
0
0
2
1.8
1.6
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Transfer Characteristics
4.5
1.4
1.85
1.65
1.45
1.25
1.05
V GS = 10V
I D = 0.5A
V GS = 4.5V
I D = 0.075A
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.85
0.65
-55 -5 45 95 145
T j , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 3 Drain-Source On Resistance vs. Junction Temperature
8
0.2
0
-55 -25 0 25 50 75 100 125 150
T j , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 4 Gate Threshold Voltage vs. Junction Temperature
9
7
6
5
V GS = 2.5V
150 ° C
25 ° C
8
7
6
V GS = 2.75V
150 ° C
5
4
4
3
2
1
-55 ° C
3
2
1
25 ° C
-55 ° C
0
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14 0.16
I D , DRAIN-CURRENT (A)
Fig. 5 Drain-Source On-Resistance vs. Drain-Current
0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25
I D , DRAIN-CURRENT (A)
Fig. 6 Drain-Source On-Resistance vs. Drain-Current
BSS138DW
Document number: DS30203 Rev. 13 - 2
3 of 6
www.diodes.com
January 2014
? Diodes Incorporated
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