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参数资料
| 型号： | BSS138DW-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL N-CHAN 50V SC70-6 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 欧姆 @ 220mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | BSS138DWDICT |
BSS138DW
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
SOT363
Dim Min
Max
Typ
B C
A
B
C
0.10
1.15
2.00
0.30
1.35
2.20
0.25
1.30
2.10
D
0.65 Typ
F
0.40
0.45
0.425
H
H
J
1.80
0
2.20
0.10
2.15
0.05
K
M
K
L
0.90
0.25
1.00
0.40
1.00
0.30
J
D
F
L
M
??
0.10 0.22 0.11
0° 8° -
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
C2
C2
Dimensions Value (in mm)
Z
G
2.5
1.3
Z
G
C1
X
Y
0.42
0.6
C1
1.9
Y
BSS138DW
Document number: DS30203 Rev. 13 - 2
X
5 of 6
www.diodes.com
C2
0.65
January 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS138K | MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23-3 |
| BSS138LT1 | MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23 |
| BSS138TC | MOSFET N-CHAN 50V SOT23-3 |
| BSS138W-7 | MOSFET N-CH 50V 200MA SC70-3 |
| BSS138W | MOSFET N-CH 50V 21MA SOT323 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BSS138DW7F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| BSS138DW-7-F | 功能描述:MOSFET 50V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BSS138DW-7-F-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:BSS138DW Series 50 V 3.5 Ohm Dual N-Channel Enhancement Mode Transistor SOT-363 |
| BSS138DWQ-13 | 功能描述:MOSFET 2NCH 50V 200MA SOT363 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:10,000 |
| BSS138DWQ-7 | 功能描述:MOSFET 2NCH 50V 200MA SOT363 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:3,000 |
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