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参数资料
| 型号： | BSS138DW-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL N-CHAN 50V SC70-6 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 欧姆 @ 220mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | BSS138DWDICT |
BSS138DW
6
5
V GS = 4.5V
150 ° C
3.5
3
V GS = 10V
150 ° C
2.5
4
2
3
25 ° C
1.5
25 ° C
2
1
-55 ° C
1
-55 ° C
0.5
0
0 0.5
I D , DRAIN-CURRENT (A)
Fig. 7 Drain-Source On-Resistance vs. Drain-Current
1
0
0 0.5
I D , DRAIN-CURRENT (A)
Fig. 8 Drain-Source On-Resistance vs. Drain-Current
100
V GS = 0V
f = 1MHz
C iss
0.1
150 ° C
-55 ° C
10
C oss
0.01
25 ° C
C rss
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1 1.2
1
0
5
10
15 20 25
30
V SD , DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Fig. 9 Body Diode Current vs. Body Diode Voltage
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Capacitance vs. Drain-Source Voltage
BSS138DW
Document number: DS30203 Rev. 13 - 2
4 of 6
www.diodes.com
January 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS138K | MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23-3 |
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| BSS138TC | MOSFET N-CHAN 50V SOT23-3 |
| BSS138W-7 | MOSFET N-CH 50V 200MA SC70-3 |
| BSS138W | MOSFET N-CH 50V 21MA SOT323 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BSS138DW7F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| BSS138DW-7-F | 功能描述:MOSFET 50V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BSS138DW-7-F-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:BSS138DW Series 50 V 3.5 Ohm Dual N-Channel Enhancement Mode Transistor SOT-363 |
| BSS138DWQ-13 | 功能描述:MOSFET 2NCH 50V 200MA SOT363 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:10,000 |
| BSS138DWQ-7 | 功能描述:MOSFET 2NCH 50V 200MA SOT363 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:3,000 |
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