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参数资料
| 型号： | BSS138LT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23 |
| 产品变化通告： | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 欧姆 @ 200mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 225mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | BSS138LT1OSCT |
BSS138L, BVSS138L
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
10
8
9
8
7
V GS = 2.5 V
150 ° C
7
6
V GS = 2.75 V
150 ° C
6
5
5
25 ° C
4
4
3
2
1
-55 ° C
3
2
1
25 ° C
-55 ° C
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
6
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 7. On ? Resistance versus Drain Current
4.5
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 8. On ? Resistance versus Drain Current
5.5
5
V GS = 4.5 V
150 ° C
4
V GS = 10 V
150 ° C
4.5
4
3.5
3.5
3
3
2.5
2
1.5
1
25 ° C
-55 ° C
2.5
2
1.5
1
25 ° C
-55 ° C
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.5
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.5
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 9. On ? Resistance versus Drain Current
1
120
100
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 10. On ? Resistance versus Drain
Current
0.1
T J = 150 ° C
25 ° C
-55 ° C
80
60
C iss
0.01
40
20
C oss
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
0
C rss
5
10
15
20
25
V SD , DIODE FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Body Diode Forward Voltage
http://onsemi.com
4
Figure 12. Capacitance
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| BSS138LT1_09 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 200 mA, 50 V |
| BSS138LT1_11 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 200 mA, 50 V |
| BSS138LT1D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 200 mA, 50 V |
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