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参数资料
| 型号： | BSS138TC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 50V SOT23-3 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 欧姆 @ 220mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
BSS138
2.45
2.4
2.25
2.0
2.05
1.85
1.65
V GS = 10V
I D = 0.5A
1.6
1.45
1.2
I D = 1mA
1.25
1.05
V GS = 4.5V
I D = 0.075A
0.8
I D = 250μA
0.85
0.65
-55 -5 45 95 145
T j , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 3 Drain-Source On-Resistance vs. Junction Temperature
8
0.4
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T j , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 4 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
9
7
6
V GS = 2.5V
150 ° C
8
7
V GS = 2.75V
5
25 ° C
6
150°C
5
4
4
3
2
1
-55 ° C
3
2
1
25°C
-55°C
0
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14 0.16
I D , DRAIN-CURRENT (A)
Fig. 5 Drain-Source On-Resistance vs. Drain-Current
0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25
I D , DRAIN-CURRENT (A)
Fig. 6 Drain-Source On-Resistance vs. Drain-Current
6
5
V GS = 4.5V
150°C
3.5
3
2.5
V GS = 10V
150°C
4
2
3
1.5
25°C
2
25°C
1
-55°C
1
-55 ° C
0.5
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
I D , DRAIN-CURRENT (A)
Fig. 7 Drain-Source On-Resistance vs. Drain-Current
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
I D , DRAIN-CURRENT (A)
Fig. 8 Drain-Source On Resistance vs. Drain-Current
BSS138
Document number: DS30144 Rev. 20 - 2
3 of 5
www.diodes.com
November 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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