- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录398 > BSS138TC (Diodes Inc)MOSFET N-CHAN 50V SOT23-3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | BSS138TC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 50V SOT23-3 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 欧姆 @ 220mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
BSS138
1
100
V GS = 0V
f = 1MHz
0.1
150°C
-55°C
10
C iSS
0.01
25 ° C
C OSS
C rSS
0.001
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
V SD , DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Fig. 9 Body Diode Current vs. Body Diode Voltage
1
0
5 10 15 20 25 30
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Capacitance vs. Drain-Source Voltage
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
SOT23
Dim Min Max Typ
A
B
0.37 0.51 0.40
1.20 1.40 1.30
H
B C
C
D
F
G
H
2.30 2.50 2.40
0.89 1.03 0.915
0.45 0.60 0.535
1.78 2.05 1.83
2.80 3.00 2.90
K
J
F
G
D
K1
L
M
J
K
K1
L
M
0.013 0.10 0.05
0.903 1.10 1.00
- - 0.400
0.45 0.61 0.55
0.085 0.18 0.11
α
0° 8° -
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
Y
Dimensions Value (in mm)
Z
BSS138
Document number: DS30144 Rev. 20 - 2
X
E
C
4 of 5
www.diodes.com
Z
X
Y
C
E
2.9
0.8
0.9
2.0
1.35
November 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS138W-7 | MOSFET N-CH 50V 200MA SC70-3 |
| BSS138W | MOSFET N-CH 50V 21MA SOT323 |
| BSS84-7 | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 |
| BSS84_D87Z | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 |
| BSS8402DW-7 | MOSFET N+P 50,60V 130MA SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BSS138W | 功能描述:MOSFET 50V N-CH Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BSS138W E6327 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| BSS138W E6433 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| BSS138W H6327 | 功能描述:MOSFET N-KANAL SMALL SIGNAL MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BSS138W L6327 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.028A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。