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参数资料
型号： BU9883FV-WE2
厂商： Rohm Semiconductor
文件页数： 2/28页
文件大小： 0K
描述： IC EEPROM 6KBIT 400KHZ SSOP16
标准包装： 2,500
格式 - 存储器： EEPROMs - 串行
存储器类型： EEPROM
存储容量： 6K（256 x 8 x 3）
速度： 400kHz
接口： I²C，2 线串口
电源电压： 3 V ~ 5.5 V
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商设备封装： 16-SSOPB
包装： 带卷 (TR)
BU9883FV-W
● Absolute Maximum Ratings (Ta=25 ℃ )
Datasheet
Parameter Symbol Rating
Unit
Remarks
Supply Voltage
V CC
-0.3 to 6.5
V
Power Dissipation Pd
400
mW
Degradation is done at 3.0mW/ ℃ for operation above 25 ℃
Storage Temperature Tstg -65 to 125
℃
Operating Temperature
Topr -40 to 85
℃
Terminal Voltage
- -0.3 to V CC ＋ 0.3
V
The Max value of terminal voltage is not over 6.5V
● Memory cell characteristics (Ta=25 ℃ , V CC 0 to 3 = 3.0V to 5.5V)
Parameter
Specification
Min. Typ.
Max.
Unit
Write/Erase Cycle
Data Retention
*1
*1
1,000,000
40
-
-
-
-
Cycles
Years
*1:Not 100 ％ TESTED
● Recommended Operating Ratings
Supply Voltage
Input Voltage
Parameter
Symbol
V CC
VIN
Rating
3.0 to 5.5
0 to V CC 0 to 3
Unit
V
● Input/output capacity (Ta=25 ℃ , Frequency=5MHz)
Parameter Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
SDA pins (SDA0,1,2,3) *1
C IN
-
7
-
pF
SCL pins (SCL0,1,2,3)
*1
C IN2
-
7
-
pF
*1:Not 100 ％ TESTED
● E lectrical       characteristics -DC operating (Unless otherwise specified, Ta=-40 ℃
to 85 ℃ , V CC 0 to 3 = 3.0V to 5.5V)
Parameter Symbol
Specification
Min. Typ. Max.
Unit
Test condition
"H" Input Voltage0 VIH0 0.7 x V CC 0 - V CC 0+0.5 V
3.0 ≦ V CC 0 ≦ 5.5V(SCL0, SDA0)
"L" Input Voltage0
VIL0 -0.3 - 0.3 x V CC 0 V
3.0 ≦ V CC 0 ≦ 5.5V(SCL0, SDA0)
"H" Input Voltage1 VIH1 0.7 x V CC 1 - V CC 1+0.5 V
3.0 ≦ V CC 1 ≦ 5.5V(SCL1, SDA1)
"L" Input Voltage1
VIL1 -0.3 - 0.3 x V CC 1 V
3.0 ≦ V CC 1 ≦ 5.5V(SCL1, SDA1)
"H" Input Voltage2 VIH2 0.7 x V CC 2 - V CC 2+0.5 V
3.0 ≦ V CC 2 ≦ 5.5V(SCL2, SDA2)
"L" Input Voltage2
VIL2 -0.3 - 0.3 x V CC 2 V
3.0 ≦ V CC 2 ≦ 5.5V(SCL2, SDA2)
"H" Input Voltage3 VIH3 0.7 x V CC 3 - V CC 3+0.5 V
"H" Input Voltage3 VIL3 -0.3 - 0.3 x V CC 3 V
"L" Output Voltage0 VOL0 - - 0.4 V
"L" Output Voltage1 VOL1 - - 0.4 V
"L" Output Voltage2 VOL2 - - 0.4 V
"L" Output Voltage3 VOL3 - - 0.4 V
WP "H" Input Voltage VIH4 0.7 x V CC 0 - V CC 0+0.3 V
3.0 ≦ V CC 3 ≦ 5.5V(SCL3, SDA3)
3.0 ≦ V CC 3 ≦ 5.5V(SCL3, SDA3)
IOL=3.0mA , 3.0V ≦ V CC 0 ≦ 5.5V(SDA0)
IOL=3.0mA , 3.0V ≦ V CC 1 ≦ 5.5V(SDA1)
IOL=3.0mA , 3.0V ≦ V CC 2 ≦ 5.5V(SDA2)
IOL=3.0mA , 3.0V ≦ V CC 3 ≦ 5.5V(SDA3)
3.0 ≦ V CC 0 ≦ 5.5V(WPB)
WP "L" Input Voltage VIL4 -0.3 - 0.3 x V CC
Input Leakage Current0 ILI0 -1 - 1
Input Leakage Current1 ILI1 55 110 230
Output Leakage Current0 ILO0 -1 - 1
V
μ A
μ A
μ A
3.0 ≦ V CC 0 ≦ 5.5V(WPB)
VIN=0 to 5.5V(SCL0 to 3)
WPB=5.5V , V CC =5.5V
VOUT=0 to 5.5(SDA0 to 3)
ICC1
-
-
2.0
mA
V CC 0=5.5V, fSCL=400kHz ， tWR=5ms
Byte Write, Page Write
Operating Current
V CC 0 to 3=5.5V, fSCL=400kHz
ICC2
-
-
1.0
mA
Random Read, Current Read,Sequential
Read, (each port operation)
Standby Current
Standby Current
Standby Current
Standby Current
ISB0
ISB1
ISB2
ISB3
-
-
-
-
-
-
-
-
100
100
100
100
μ A
μ A
μ A
μ A
V CC 0=5.5V, SDA0 to 3=SCL0 to 3=5.5V,
WPB=GND
V CC 1=5.5V, SDA0 to 3=SCL0 to 3=5.5V,
WPB=GND
V CC 2=5.5V, SDA0 to 3=SCL0 to 3=5.5V,
WPB=GND
V CC 3=5.5V, SDA0 to 3=SCL0 to 3=5.5V,
WPB=GND
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 ? 15 ? 001
2/25
TSZ02201-0R2R0G100420-1-2
31.AUG.2012 Rev.001
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PDF描述
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参数描述
BU9888FV-W 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:High Reliability Serial EEPROMs
BU9888FV-WE2 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:High Reliability Serial EEPROMs
BU9889GUL-W 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:WL-CSP EEPROM family I2C BUS
BU9889GUL-WE2 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 电可擦除可编程只读存储器 Serial-2Wire 8Kb RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
BU9890GUL-W 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Silicon Monolithic Integrated Circuit
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