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参数资料
| 型号： | BU9889GUL-WE2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 8KBIT 2WIRE VCSP50L1 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 8K (1K x 8) |
| 速度： | 400kHz |
| 接口： | I²C，2 线串口 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 6-UFBGA，CSPBGA |
| 供应商设备封装： | VCSP50L1 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
BU9889GUL-W (8Kbit)
Datasheet
● Electrical Characteristics
(Unless otherwise specified Ta=-40 ℃ to +85 ℃ , Vcc=1.7V to 5.5V)
Parameter
Symbol
Limits
Min Typ. Max.
Unit
Condition
"H" Input Voltage1
"L" Input Voltage1
V IH1
V IL1
0.7V CC
-0.3
-
-
V CC +1.0
0.3V CC
V
V
"L" Output Voltage1
"L" Output Voltage2
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Current consumption at action
Standby Current
V OL1
V OL2
I LI
I LO
I CC1
I CC2
I SB
-
-
-1
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.4
0.2
1
1
2.0
0.5
2.0
V
V
μ A
μ A
mA
mA
μ A
I OL =3.0mA , 2.5V ≦ V CC ≦ 5.5V (SDA)
I OL =0.7mA , 1.7V ≦ V CC ≦ 2.5V (SDA)
V IN =0 to V CC
V OUT =0 to V CC (SDA)
V CC =5.5V, fSCL =400kHz, tWR=5ms
Byte Write, Page Write
V CC =5.5V, fSCL =400kHz
Random read, Current read, Sequential read
V CC =5.5V, SDA ? SCL=V CC
A2=GND, WP=GND
● Action timing characteristics
(Unless otherwise specified Ta=-40 ℃ to +85 ℃ , Vcc=1.7V to 5.5V)
Parameter Symbol
Limits
Min. Typ.
Max.
Unit
SCL Frequency
Data clock "High" time
Data clock "Low" time
fSCL
tHIGH
tLOW
-
0.6
1.2
-
-
-
400
-
-
kHz
μ s
μ s
SDA, SCL rise time
SDA, SCL fall time
*1
*1
tR
tF
-
-
-
-
0.3
0.3
μ s
μ s
Start condition hold time
Start condition setup time
Input data hold time
Input data setup time
Output data delay time
Output data hold time
Stop condition data setup time
Bus release time before transfer start
Internal write cycle time
Noise removal valid period (SDA,SCL terminal)
WP hold time
WP setup time
WP valid time
tHD:STA
tSU:STA
tHD:DAT
tSU:DAT
tPD
tDH
tSU:STO
tBUF
tWR
tI
tHD:WP
tSU:WP
tHIGH:WP
0.6
0.6
0
100
0.1
0.1
0.6
1.2
-
-
0
0.1
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.9
-
-
-
5
0.1
-
-
-
μ s
μ s
ns
ns
μ s
μ s
μ s
μ s
ms
μ s
ns
μ s
μ s
*1 : Not 100% TESTED
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 ? 15 ? 001
2/23
TSZ02201-0R2R0G100490-1-2
05.SEP.2012 Rev.001
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU9891GUL-WE2 | IC EEPROM 4KBIT VCSP T/R |
| BU9897GUL-WE2 | IC EEPROM SERIAL VCSP50L2 |
| BU99901GUZ-WE2 | IC EEPROM 32KBIT 2WIRE VCSP |
| BUK218-50DY,118 | TOPFET DUAL SWITCH D2PAK |
| BVL121200003N | BATTERY CHG UNIV 12VDC @ 1.2A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BU9890GUL-W | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Silicon Monolithic Integrated Circuit |
| BU9890GUL-WE2 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 电可擦除可编程只读存储器 Serial-2Wire 32Kb RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| BU9891GUL-W | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:WL-CSP EEPROM family Microwire Bus |
| BU9891GUL-WE2 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 电可擦除可编程只读存储器 Serial 4Kb RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| BU9897GUL-W | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Silicon Monolithic Integrated Circuit |
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