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参数资料
| 型号： | BUK9107-55ATE |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-426 |
| 中文描述： | 晶体管 | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-426封装 |
| 文件页数： | 3/16页 |
| 文件大小： | 382K |
| 代理商： | BUK9107-55ATE |
Philips Semiconductors
BUK9107-40ATC
TrenchPLUS logic level FET
Product data
Rev. 03 — 22 January 2002
11 of 16
9397 750 08724
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
IF = 250 AVF at Tj =25 °C; IF = 250 A
Fig 17. Forward voltage of temperature sense diode as
a function of junction temperature; typical
values.
Fig 18. Temperature coefcient of temperature sense
diode as a function of forward voltage; typical
values.
VGS =0V
Fig 19. Reverse diode current as a function of reverse diode voltage; typical values.
03ne84
400
500
600
700
0
50
100
150
200
Tj (C)
VF
(mV)
03ne85
1.40
1.45
1.50
1.55
1.60
1.65
1.70
645
650
655
660
665
670
675
VF (mV)
-SF
(mV/K)
max
min
typ
03ne88
0
20
40
60
80
100
0.0
0.5
1.0
1.5
VSD (V)
IS
(A)
Tj = 175 C
Tj = 25 C
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PDF描述 |
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