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参数资料
| 型号： | BUK9107-55ATE |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-426 |
| 中文描述： | 晶体管 | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-426封装 |
| 文件页数： | 9/16页 |
| 文件大小： | 382K |
| 代理商： | BUK9107-55ATE |
Philips Semiconductors
BUK9107-40ATC
TrenchPLUS logic level FET
Product data
Rev. 03 — 22 January 2002
2 of 16
9397 750 08724
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
5.
Quick reference data
Table 2:
Quick reference data
Symbol Parameter
Conditions
Typ
Max
Unit
VDSR(CL) drain-source clamping voltage
Tj =25 °C; IGS(CL) = 2 mA; ID =1A
50
-
V
ID
drain current (DC)
Tmb =25 °C; VGS = 5 V
-
140
A
Ptot
total power dissipation
Tmb =25 °C
-
272
W
Tj
junction temperature
-
175
°C
RDSon
drain-source on-state resistance
Tj =25 °C; VGS =5V; ID =50A
5.8
7
m
Tj =25 °C; VGS = 4.5 V; ID =50A
6
7.7
m
Tj =25 °C; VGS = 10 V; ID = 50 A
5.2
6.2
m
VF
temperature sense diode forward
voltage
Tj =25 °C; IF = 250 A
658
668
mV
SF
temperature sense diode temperature
coefcient
55 °C<T
j < +175 °C; IF = 250 A
1.54
1.68
mV/K
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