品名:镍锌铁氧体 | 饱和磁感应强度:6000 | 初始磁导率:2000 | 矩形比:25 | 矫顽力:500(A/m) | 剩磁:2(mT) | 居里温度:600(℃) | 密度:520(g/cm3) | 工作温度:220 | 材料牌号:ZCAT2436-1330
≥100 个
¥1.00
品牌:FUJI/富士通 | 型号:YG901C2 | 沟道类型:其他 | 材料:硅(Si) | 集电极最大耗散功率PCM:三极管 | 击穿电压VCBO:200 | 封装形式:直插型 | 集电极最大允许电流ICM:5 | 极性:NPN型 | 截止频率fT:* | 结构:点接触型 | 封装材料:塑料封装 | 应用范围:功率
≥1000 PCS
¥0.30
品牌:IR/FSC | 型号:IRF730/740 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型
≥1 千克
¥1.20
品牌:ST/意法 | 型号:75NF75 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道
≥1000 个
¥0.40
品牌:CTR美国通信晶体管 | 型号:HV82 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型
1-99 个
¥0.90
100-999 个
¥0.80
≥1000 个
¥0.60
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:SSH25N40A | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si)
≥100 个
¥1.45
品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRFZ46 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道
≥10 个
¥0.55
品牌:Toshiba/东芝 | 型号:K1120 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 150W:TO-3P | 8A:1000V
1-4 个
¥4.50
5-9 个
¥3.80
≥10 个
¥3.50
品牌:Toshiba/东芝 | 型号:K1350 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 15A:200V | 45W:TO-220
≥10 个
¥1.50
品牌:Toshiba/东芝 | 型号:K2996 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 10A:600V
≥10 个
¥2.50
品牌:Toshiba/东芝 | 型号:K2761 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 10A:600V
≥10 个
¥2.50
品牌:Toshiba/东芝 | 型号:K3067 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:SW-REG/开关电源 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 3A:600V
≥20 个
¥2.00
品牌:Toshiba/东芝 | 型号:K3568 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:SW-REG/开关电源 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 12A:500V
20-19 个
¥2.38
≥20 个
¥2.50
品牌:Toshiba/东芝 | 型号:K2847 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 8A:900V
20-49 个
¥3.14
50-19 个
¥2.66
20-49 个
¥3.30
品牌:Samsung/三星 | 型号:SSH70N10A | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道
≥10 个
¥5.00
品牌:东芝 | 型号:K525 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道
≥10 个
¥2.00
品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRFZ30 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道
20-19 个
¥1.90
≥20 个
¥2.00
品牌:东芝 | 型号:K386 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道
≥5 个
¥5.00
应用范围:功率 | 品牌:Toshiba/东芝 | 型号:2SD2012 | 材料:硅(Si) | 封装形式:直插型
100-999 个
¥0.25
1000-4999 个
¥0.23
≥5000 个
¥0.22